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氧化锆陶瓷
纯ZrO2从高温冷却到室温的过程中将发生如下相变:立方相(c)→四方相(t)→单斜相(m),其中在1150℃左右会发生t到m相变,并伴随约5%的体积膨胀。如果将ZrO2的t→m相变点稳定到室温,使其在承载时由应力诱发产生t→m相变,由于相变产生的体积效应而吸收大量的断裂能,从而使材料表现出异常高的断裂韧度,产生相变增韧,获得高韧性、高耐磨性。
氧化铝陶瓷
刘文燕等采用湿法球磨方法将不同含量氧化钇粉末添加到氧化铝粉末中,经冷等静压成型,1550℃常压烧结。通过研究发现,当氧化钇含量低于0.25wt%时,晶粒长大,存在封闭晶内气孔,相对密度变小,致密化程度低;当氧化钇含量介于0.25wt%~0.75wt%时,随着氧化钇含量增加,封闭气孔减少,晶粒减小,致密化程度增高;当氧化钇含量为1.0wt%时,在晶界生成第二相钇铝石榴石,相对密度较小,致密化程度降低。由此可知加入一定量的氧化钇对提高氧化铝陶瓷的致密性有积极作用。氧化镁陶瓷
MgO陶瓷可以作为金属及其合金的理想冶炼容器。然而氧化镁陶瓷的热膨胀系数较大,导致烧结性能太差,抗热震性能也较差。通过改变烧结工艺和加入添加剂,氧化镁陶瓷的性能有所改变。薛宗伟等研究了氧化钇添加量(外加,质量分数分别为0、1%、2%、3%和4%)和煅烧温度(1350、1450和1550℃)对氧化镁陶瓷性能的影响。结果表明:氧化钇与方镁石形成有限置换型固溶体,提高了烧结试样致密度;氧化钇抑制了烧结试样中方镁石晶粒生长;氧化钇通过第二相增韧和微裂纹增韧提高了氧化镁陶瓷的抗热震性。碳化硅陶瓷
碳化硅的自扩散系数小,在不添加烧结助剂的情况下很难烧结,即使在高温高压下,也很难烧结出致密的组织。烧结助剂的加入可形成液相,降低烧结温度,促进烧结体组织致密化,且能改善碳化硅的纯度、粒度和相组成。有研究表明,添加Al2O3-Y2O3不仅可以提高碳化硅陶瓷的致密性,而且可改善陶瓷的脆性、强度和硬度等。刚玉-莫来石陶瓷
莫来石-刚玉质复相陶瓷因同时具有莫来石相熔点高、热膨胀系数低、抗蠕变、抗热震和刚玉相弹性高、耐磨、耐腐蚀、抗氧化及高温蠕变速率低等特点,使得其性能优越于纯刚玉陶瓷和纯莫来石陶瓷。邱和林等以粘土、氧化铝粉及刚玉砂和硅酸锆细粉等原料为基础配方,以羧甲基纤维素钠(CMC-Na)为添加剂,引入氧化钇,考察了氧化钇对复合材料的性能影响。结果表明:(1)氧化钇的引入促进了陶瓷的烧结,烧结性能有所提高;(2)氧化钇的引入促进二次莫来石的形成及生长,形成针状莫来石结构;(3)过量的氧化钇促使针状莫来石转化成柱状莫来石,高温力学性能下降。陶瓷结合剂
陶瓷结合剂CBN/金刚石超硬磨具具有高速、高效率、高精度、低磨削成本、绿色环保等优异性能,是近年世界各国科研人员的研究热点。其性能很大程度上取决于陶瓷结合剂的性能,但陶瓷结合剂的脆性大,会降低磨具的使用寿命。因此,需对陶瓷结合剂增强增韧,改善磨具的微观结构,提高其综合性能。栗正新发现La2O3对结合剂的耐火度影响较大,Y2O3对陶瓷结合剂的强度有较好的提高作用。侯永改等发现在钙铝硅微晶玻璃体系中引入一定量的Y2O3可以降低结合剂的耐火度、增加流动性,同时Y2O3还具有诱导析晶的作用。参考来源:
[1]朱勇等.医用氧化钇稳定氧化锆陶瓷的制备及成型工艺
[2]薛宗伟等.氧化钇对氧化镁陶瓷烧结和抗热震性能的影响
[3]邱和林等.氧化钇对刚玉-莫来石陶瓷的显微结构和性能影响
[4]刘文燕等.氧化钇对氧化铝陶瓷致密化的影响
[5]无稀土,不陶瓷!.中国粉体网
[6]稀土对氧化铝陶瓷性能有怎样的影响?中国粉体网
注:图片非商业用途,存在侵权告知删除!进粉体产业交流群请加中国粉体网编辑部微信:18553902686
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在半导体芯片设备中,精密陶瓷零部件的成本约占10%左右,当前市场基本被美国、日本等发达国家垄断。如何实现光刻机等半导体设备中先进陶瓷部件的国产化,解决当前芯片行业“卡脖子”问题的重要一环,也是国内先进陶瓷企业面临的巨大机遇与挑战。 同时,随着新能源汽车、5G、人工智能、物联网等行业的蓬勃发展,以碳化硅、氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体材料产业规模不断扩大,先进陶瓷在半导体行业将迎来更大的应用市场。 在此背景下,第二届半导体行业用陶瓷材料技术研讨会将在江苏苏州举办,旨在为半导体和先进陶瓷行业搭建沟通平台,交流先进技术,互通行业信息,促进产业链合作,推动国产替代进程。 会议热诚欢迎行业专家、学者、技术人员、企业界代表出席,同时欢迎公司、企事业单位展示技术成果,洽谈产、学、研合作。会务组
联系人:任海鑫
电 话:18660985530(同微信)
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