以碳化硅，氮化铝为代表的第三代半导体具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，相对于传统半导体材料（例如Si和GaAs等），在高温、高频、高功率及抗辐射器件方面（例如高铁、电动汽车、智能电网、5G通信等）拥有巨大的应用前景。

物理气相输运(PVT)工艺因其较高的生长速率、较为稳定的生长工艺和成本优势，成为当前大多数企业生产碳化硅和氮化铝单晶材料时采用的标准方法。PVT法具体是利用高温低压的条件下升华产生的气相组分，在温度梯度的驱动下到达较低温度的籽晶处，产生过饱和度而在籽晶上结晶不断生长单晶。实际工艺过程中，随着晶体厚度增加，因高温腐蚀和产品温度梯度差，容易出现碳包裹物、微管、位错等各种缺陷，碳化钽材料在降低包裹物，减少缺陷，提高晶体良率方面具备独特的优势，可以更快的生长出高质量的大尺寸晶体，显著提高晶体的合格率。

在碳化硅或氮化铝同质外延工艺中，因高温腐蚀性气氛的存在，使得普通载盘寿命大幅受限，甚至于在工艺过程中出现粉末化，碳化钽可以降低气氛对载盘的腐蚀，并且在改善产品性能方面得到了广泛的认可。

综上，碳化钽具有高熔点、高硬度、高耐腐蚀性和高温稳定性等特点，作为反应容器或衬垫材料时，能够承受高温高压环境下的反应，不会对半导体材料产生污染和污损；此外，碳化钽的热膨胀系数与碳化硅和氮化铝等材料相近，有利于提高半导体材料的晶格质量。

5月13-14日，CAC2023广州国际先进陶瓷展同期论坛上，迈图技术大中华区陶瓷业务负责人王存国先生将作题为“碳化钽在化合物半导体中的应用”的报告，分享迈图技术作为碳化钽材料在半导体行业应用的开创者的数十年的经验，与大家共同探讨碳化钽在化合物半导体行业的应用。

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报告人简介

王存国，迈图技术大中华区陶瓷业务负责人。迈图高新材料集团是全球领先的高性能有机硅和特种产品公司，向包括有机硅、石英和陶瓷市场提供高技术材料解决方案。

CAC同期论坛会务组

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