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产品介绍:
此款产品采用了含Al材料作为多量子阱有源层结构,并采用双沟脊波导结构,在工业温度范围(-40°C~85°C)范围内能实现10G/25Gbps的波特率。由于工艺及设计的先进性,此款产品拥有低阈值,高出光效率,高边模抑制比以及高良率低成本的优势。为保证实际网络传输中信号的可靠度,此款芯片产品通过全套Telcordia GR-468标准的检验,每批次产品出货前进行严格Certification流程验证,进一步保障可靠性。波长覆盖 1270nm XGS-PON ONU应用,以及CWDM4 4波长和MWDM 12波。
应用领域:
光通信,信息处理/存储,光通信芯片,光器件,光模块,设备商,运营商,数据中心服务提供商
EML 10G 1577nm/DWDM chip产品介绍:
此款产品采用多量子阱有源层,并单片集成EA调制器及DFB激光器。工作温度为45℃~55℃,主要用于XGSPON OLT;此款产品采用掩埋异质结结构,兼顾高可靠性和高性能的需求,同时拥有低阈值,高出光效率,高边模抑制比以及高良率低成本的优势。为保证实际网络传输中信号的可靠度,此款芯片产品通过全套Telcordia GR-468标准的检验,并在所有芯片出货前均经历严格的Certification流程,以确保产品的高可靠性。
应用领域:
光通信,信息处理/存储,光通信芯片,光器件,光模块,设备商,运营商,数据中心服务提供商
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