【第四届陶瓷基板论坛嘉宾介绍】株洲中车时代电气股份有限公司 科学家 刘国友：功率半导体，从硅基到化合物衬底的技术挑战

演讲嘉宾

/ 刘国友 博士 /

株洲中车时代电气股份有限公司 中车科学家

功率半导体与集成技术全国重点实验室 副主任

演讲主题

功率半导体，从硅基到化合物衬底的技术挑战

内容摘要 · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · ·  

从硅基到化合物衬底功率半导体技术的必然选择与发展方向，势必带来器件高压、高温、高频和低损耗等方面的性能改善，但也面临成本、可靠性的巨大压力，特别是原有硅基功率器件的封装技术与材料体系将很难适应高压、高温封装需求，需要全产业链从降低芯片损耗、提高封装材料工作温度、增强绝缘强度、改善散热能力等方面共同努力。

嘉宾简介 · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · ·  

教授级高级工程师，中车科学家，功率半导体与集成技术全国重点实验室副主任，西南交通大学中车时代微电子学院副院长，入选国家“万人计划”科技领军人才，国务院特殊津贴专家， “湖南光召科技奖”、“杰出工程师奖”和“全国创新争先奖”获得者。

企业简介 · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · ·  

• 1964年开始功率半导体技术研发与产业化，是国内大功率晶闸管、IGCT、IGBT和SiC技术研究与产业化基地。

• 功率半导体与集成技术全国重点实验室

• 国家能源大功率电力电子器件研发中心

• IGBT技术研发与产业化国家重点领域创新团队

• 全国功率半导体行业联盟理事长单位

• 欧洲电力电子协会副主席

• ECPE（欧洲电力电子中心）首席会员

• 湖南省功率半导体制造业创新中心

论坛报名及赞助

会务费

8月20日前

优惠价2300元/人

8月20日后报名将收取2600元/位

会务费包含大会证件、参会手册、自助餐、晚宴等，不包含住宿。

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会务费请汇款至以下账号：

户名：佛吉（上海）新材料科技有限公司

开户行：中信银行上海沪西支行 

账号：8110201011901540491

注：①请在备注栏中注明“2023陶瓷基板论坛”及参会人员姓名。②会务组将向来自高校科研院所等单位的参会代表提供符合财务报销要求的会议通知。

组委会联系方式

杨冉  183 2133 5752（微信同号）

邮箱：yolanda.yang@unirischina.com

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一

论坛简介

随着我国5G通信、半导体封装、IGBT及大功率LED、新能源汽车，轨道交通、光伏与风力发电、人工智能、机器人等新型产业的高速发展，对各种电子功率器件、高性能和高导热陶瓷基板的需求越来越大；包括氮化铝（AlN）、氮化硅（Si₃N₄）、氧化铝（Al₂O₃）、氧化锆增韧氧化铝（ZTA）等各类基板及陶瓷覆铜板，成为半导体模块及功率器件的主要封装材料，已逐步形成完整的产业链，其规模发展迅速，市场前景广阔。  

2023第四届陶瓷基板及产业链应用发展论坛

往届精彩回顾

“2023第四届陶瓷基板及产业链应用发展论坛”将于2023年9月25日在上海虹桥西郊假日酒店隆重举办。本届陶瓷基板及产业链应用高峰论坛将聚焦当前关注的八大主题，邀请知名大学和中科院研究所的教授、国内外知名企业的技术高管与行业专家做精彩报告。围绕高导热陶瓷基板粉体、流延成型工艺与设备进展、氮化铝与氮化硅基板烧结技术与新型烧结装备、陶瓷基板的金属化工艺、高导热陶瓷覆铜板与IGBT封装、陶瓷基板与大功率半导体器件、半导体封装陶瓷基板及性能评价、陶瓷基板市场状况与未来发展趋势等热点话题发表主旨演讲报告并进行现场互动交流。打造一场高品质的陶瓷基板技术及产业链的盛会，促进和推动我国陶瓷基板产业的高质量发展。

论坛时间及地点：

报到时间：9月24日

会议时间：9月25日

会议地点：上海虹桥西郊假日酒店

主办单位：

新之联伊丽斯（上海）展览有限公司

赞助单位：

厦门至隆真空科技有限公司

西安鑫乙电子科技有限公司

美扬真空科技有限公司

东莞昶丰机械科技有限公司

二

论坛八大主题

一

高导热陶瓷基板粉体

高纯度、低氧含量、粒径均匀且具有良好成型性和烧结性能的AlN、Si₃N₄粉体对高导热陶瓷基板性能至关重要，本届论坛报告将全面分析近几年国内外在陶瓷基板粉体品质及制备方法方面取得的新成果。

二

流延成型工艺与设备最新发展

流延成型是薄至几微米的陶瓷膜带和厚至1毫米的陶瓷基板的主流成型方法，无论是Al₂O₃、ZrO₂等氧化物陶瓷基板还是当下市场上供不应求的AlN、Si₃N₄基板，其流延坯片质量对后续基板烧结十分关键。因此，陶瓷基板流延工艺技术及流延设备最新发展是本届论坛重点之一。

三

高导热陶瓷基板烧结技术

氮化铝和氮化硅基板的致密化烧结技术及烧结炉，既是行业内普遍关注的焦点，又是高导热基板制备工艺中最为关键的一个环节，本届论坛报告将分析国内外高质量氮化铝和氮化硅基板的烧结技术与烧结设备的最新进展状况。

四

陶瓷基板金属化工艺

高导热AlN、Si₃N₄基板主要采用的活性金属键合法（AMB）和直接电镀铜 (DPC)与直接敷铜（DBC）；此外，陶瓷基板的金属化工艺包括低温共烧（LTCC）和高温共烧（HTCC）等技术，本届论坛报告将对上述金属化工艺方法及应用进展进行深入的分析与阐述。

五

IGBT与陶瓷覆铜板

高导热高强度陶瓷基板广泛应用于IGBT和大功率LED半导体封装，特别是有关AlN和Si₃N₄陶瓷覆铜板的半导体封装与应用及其热稳定性和可靠性，本届论坛资深行业专家将做系统深入的分析报告。

六

低温共烧(LTCC)与高温共烧(HTCC)陶瓷

LTCC通过陶瓷和金属导体共烧实现互联，将阻容感元件、滤波器/巴伦/耦合器/功分器等器件埋置在一个3D封装中，也可以通过SMT/FC集成有源芯片形成微系统，在5G、智能手机、物联网等领域广泛应用，也是本届论坛的关注重点之一。

七

半导体封装陶瓷材料及性能评价

半导体封装领域中陶瓷基板材料的制备工艺、显微结构、力学热学电学性能的相互关联性，以及后续陶瓷覆铜板的各项性能的检测评价非常关键，是本届论坛的一个重要关注点。

八

陶瓷基板应用状况与未来发展趋势

5G通信、IGBT及大功率LED、新能源汽车，轨道交通、风力发电、光伏产业、人工智能等行业对电子封装陶瓷基板的需求巨大，其市场状况及未来发展趋势，是本届论坛的重点之一。

三

论坛主题报告

报告一

氮化铝粉体制备技术及其应用进展

报告二

氮化硅粉体三大制备技术及产业化应用分析

报告三

不同导热系数氮化铝基板的制备及应用需求

报告四

高导热高强度氮化硅基板制备工艺与性能探讨

报告五

高精度陶瓷基板的流延机开发与应用状况

报告六

AlN与Si₃N₄基板AMB覆铜工艺及性能评价

报告七

陶瓷基板电镀覆铜DPC技术研发与封装应用  

报告八

高纯Al₂O₃和ZTA基板流延制备与性能调控 

报告九

IGBT功率器件中陶瓷基板的应用及评价 

报告十

高导热氮化硅陶瓷基板的新型烧结装备

更多精彩报告持续更新中......

四

先进陶瓷相关展会

聚焦前沿

赋能高端制造业革新

/ 2024.3.6-8

第十六届中国国际先进陶瓷展览会将于2024年3月6-8日在上海世博展览馆举办。展会以科技创新激发市场活力为主旋律，以先进陶瓷原材料、设备、部件和产品、检测设备和技术等行业领先的产品、服务和解决方案为展览重点，推动产业链上下游企业精准衔接、高效联动、开拓视野、繁荣发展。

原材料：氧化物、碳化物、氮化物、硼化物等

机械设备：备料、制粉、混合、成型、烧结、干燥、热工、后处理、测量/控制、实验设备等

部件/产品：结构陶瓷、电子陶瓷、高温陶瓷、陶瓷轴承、陶瓷刀具、光学陶瓷、 陶瓷膜、陶瓷催化剂载体、生物医用陶瓷、陶瓷基复合材料、人工晶体、耐火材料等

检测仪器：粉末化学成分分析仪器、粉末物理性能分析仪器、合金性能分析仪器、 合金微观组织分析仪器等

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