南京南智先进光电集成技术研究院有限公司--与您相约2023年12月第十一届深圳·军博会

来源:世展网 分类:品牌展行业资讯 2023-08-17 13:38 阅读:7389
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#深圳·军博会

   集萃先进光电材料与器件技术研究所﹙南智先进光电集成技术研究院﹚,成立于2018年4月,系南京大学与南京市、南京江北新区校地共建重点项目,2021年获批建设江苏省光电技术创新中心,2023年2月成为江苏省产业技术研究院先进光电材料与器件技术研究所。 

   集萃先进光电所﹙南智光电﹚主要开展光学微纳结构器件制造、异质集成光电芯片、光电子封装测试和光电集成设计等方向的技术研发、产业孵化和赋能投资。集萃先进光电所﹙南智光电﹚拥有5000平米洁净产线,价值近亿元微纳加工、检测设备,致力于建成国际一流铌酸锂+X光电异质集成公共技术平台,为光电企业、高校院所提供光电芯片及器件研制、开发和制备服务。集萃先进光电所﹙南智光电﹚先后服务创新创业团队300余 个,支持50余名研发工艺专家驻厂开展核心工艺研发,孵引、集聚光电领域高科技企业 40余家,获市级人才计划支持11项,获社会资本融资累计超10亿元。5年来,集萃先进 光电所﹙南智光电﹚在先进光电材料制备、微纳结构器件研发等领域取得多项成果,1项被选入中央党史博物馆展陈,先后有3项成果入选2021、2022年度中国光学十大进展,1项获得国际金奖。 

   集萃先进光电所﹙南智光电﹚现有员工80名,其中研发人员50余人,包括院士1人、“四青”4人、省“333”工程1人、省“双创”专家2人。拥有授权专利60余项,5年来累计承担国家重点研发计划、国家重大仪器专项、江苏省前沿引领技术专项、南京市重大专项等科研课题项目20余项;获ISO9001、ISO24001、ISO45001质量环境职业健康安全三体系认证和GB/T29490知识产权管理体系等资质认证;获批建设江苏省博士后站、研究生工作站,南京市技术工程研究中心、科创实验室等机构。荣膺南京市第五届“五四”青年奖章集体奖、南京市首届大学生就业“良木奖”、“扛起三大使命”市级先进集体等荣誉。

薄膜铌酸锂刻蚀工艺服务

EBL光刻+干法刻蚀

  提供薄膜铌酸锂刻蚀工艺服务;

  刻蚀深度最大可达600 nm ,误差小于10 nm;

  刻蚀倾角大于70°;

  刻蚀最小线宽为100 nm ,刻蚀间隙最小为300 nm。

整晶圆DUV光刻+干法刻蚀

  侧壁光滑,倾角~67°;

  最小顶宽~130 nm ,最大刻蚀深度>600 nm;

 4英寸晶圆均匀性良好,刻蚀深度较为一致,单模波导损耗<0.5 dB/cm。

铌酸锂周期极化晶片该类产品主要基于准相位匹配原理,实现激光频率的上转换、下转换等。1、体块铌酸锂周期极化晶片及质子交换波导提供周期极化铌酸锂(PPLN) 、周期极化钽酸锂(PPLT)及质子交换波导的制备, 最小周期:5 μm,样品厚度:0.2 mm - 0.5 mm,质子 交换波导模斑尺寸:5 μm - 9 μm。2、薄膜铌酸锂周期极化波导提供薄膜铌酸锂周期极化(PPLNOI)波导的加工制备,最小周期可达4 μm,薄膜厚度为300 nm - 600 nm,波导宽度为1μm - 2.4 μm。

薄膜铌酸锂基本器件加工服务 薄膜铌酸锂微环:单模Q值最优大于5×105,多模值最优大于106; 端面耦合器:单边损耗小于3 dB; 光栅耦合器:单边损耗小于8 dB; MMI分束器:损耗小于0.1 dB; 薄膜铌酸锂电光调制器芯片:调制器带宽大于67 GHz,半波电压小于3.5 V,可根据需求定制。硅光样品工艺服务无源硅光器件制备服务,SiN波导传输损耗优于1 dB/cm,最小加工线宽80 nm ,支持MMI、MZI(热调)、AWG等。超表面样品工艺服务材料体系为SiN、 α-Si,最小加工线宽可达90 nm ,侧壁倾角优于87 ° 。制备大量亚波长单元在二维平面上设计排布而成的人工结构阵 列,通过不同设计能够对电磁波进行灵活调控,入射光振幅、相位、偏振等参量的精确控制。具有成熟的工艺可实现极限最小线宽 100 nm,高深宽比的 α-Si;SiN类的Meta类结构的制备。光刻制程工艺服务可加工8英寸及以下各种晶圆及碎片,线宽精度依据需求最小可到8 nm ,产品种类可选择范围广泛,包括:硅、磷化铟、碳化硅等非 透明材料;氮化镓、玻璃、石英片、蓝宝石等透明材料。具备纳米压印及其模版制备的能力。刻蚀制程工艺服务可加工8英寸及以下各种晶圆及碎片,刻蚀材料种类较多,包括:硅片、氧化硅、氮化硅、磷化铟、氮化镓、蓝宝石、铌酸锂等。镀膜制程工艺服务可加工8英寸及以下各种晶圆及碎片,镀膜材料品种齐全,包括:氧化硅、氮化硅等CVD工艺介质薄膜;金、银、铝、钛、铬、镍等 PVD工艺金属或合金薄膜;350 nm - 2 μm光学薄膜。

封装测试制程工艺服务

扫描电子显微镜(SEM)进行图象观察、微观形貌表征;双束电镜(FIB-SEM)对芯片进行截面切割表征,结合元素分析(EDS)进 行失效分析,还可以制备高质量TEM样品;原子力显微镜(AFM)实现表面粗糙度,形貌与三维结构的测量;金丝键合实现芯片电 极盘的连接;解理机GaN、GaAs、InP等化合物半导体芯片的划切解理;膜厚仪与椭偏仪实现常见薄膜材料的厚度与光学性质(折射 率n、消光系数k)测试。

后道制程工艺服务

切割:主要是利用高速旋转的主轴带动刀片高速旋转(30000 r / min)在待切割样品表面进行预设程序的直线切割,切割时通有高纯 度的切割水对刀片和主轴进行冷却,保证切割产品精度质量。

减抛:主要用于研磨硬质材料,是小批量生产和研发机构的最佳选择,兼顾硬脆性材料以及软脆性材料, 例如: 蓝宝石、硅片、光学 玻璃、石英片、磷化铟等半导体材料的高精度切削减薄。

集萃先进光电材料与器件技术研究所﹙南智先进光电集成技术研究院﹚

地址:南京市江北新区华富路1号长三角国创中心创新综合体6号楼

江苏省南京市江北新区雨合路6号研创园光电科技园C栋3楼

电话:025-58182975

网址:www.ioptee.com

垂询热线:400-115-3969

    为贯彻落实党中央提出的“坚持科学发展观,提高自主创新能力”的指示精神,促进军民融合加快国防和军队现代化发展。在中央军委装备发展部、国家国防科技工业局的指导下,由中国和平利用军工技术协会、全国工商联科技装备业商会、深圳国防科技工业协会主办,麒麟软件有限公司、中航光电科技股份有限公司赞助,由深圳企发展览有限公司承办的“2023第11届中国(深圳)国防信息化装备与技术博览会暨中国(深圳)军民两用科技装备博览会(简称“深圳·军博会”)”将于2023年12月6日-8日在中国.深圳国际会展中心宝安新馆隆重举办。

     展览面积将达到35000平方米,届时将邀请政府部门、军委机关、各大战区、各军兵种、军事院校、各军工集团、武警、公安、应急、人防、航天、航空、兵器、雷达、船舶、车辆、电子、核工业等各军工企事业单位和民营高科技企业、国防科技系统内大专院校及科研院所等领域的专业人员到场观众。

     深圳·军博会,已成为展示我国国防和军队现代化装备配套以及技术创新、技术交流、成果展示、采购应用、项目和资本的供需交流平台。

主题论坛

中国(深圳)军工电子元器件自主创新发展论坛 、中国(深圳)军工精密微特电机产业发展论坛、中国(深圳)军工精密陶瓷及陶瓷元器件发展论坛、中国(深圳)军工自动化及智能制造产业发展论坛、中国(深圳)国防军工装备配套合作发展高峰论坛、中国(深圳)军民两用新材料与制品发展高峰论坛、中国(深圳)国防信息技术应用创新发展高峰论坛、中国(深圳)军事后勤保障新技术新装备发展高峰论坛

论坛演讲:

各企事业单位可申请论坛做报告,报告内容:主要向国防军工应用单位推广新产品,新技术及解决方案,报告收费标准:20,000 元人民币/场,(25 分钟为一场,报告人可与嘉宾主席台就坐)报告题目及内容将在相关专业杂志、网站、门票、嘉宾请柬及媒体上免费宣传。

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