存储芯片整体涨势或将延至2024年第一季度

导语

根据TrendForce集邦咨询数据，预估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合约价均上涨。存储芯片的整体涨势或将延续至明年第一季度。

存储芯片是半导体产业的第二细分市场，市场规模仅次于逻辑芯片。其行业景气度主要受下游消费电子和服务器驱动等供需关系的影响较大，呈现出较强的周期性。

通常来说，存储芯片可分为易失性和非易失性两类。易失性存储又可分为动态随机存储（DRAM）和静态随机存储（SRAM），其中DRAM具备集成度高、低功耗、低成本、体积小等显著优势，较多应用于智能手机及服务器内存。非易失性存储主要包括NAND FLASH和NOR FLASH，其中NAND FLASH被广泛用于SSD、eMMC/EMCP、U盘等高端大容量产品，NOR FLASH则主要用于智能穿戴、汽车电子、AMOLED等领域。

▲存储芯片，图源包图网

近期，以三星、美光等为巨头的存储芯片大厂受多家客户调整库存、出货量减少、存储芯片市场不景气导致的价格下滑等因素影响，存储芯片业务的营收和营业利润均大幅下滑。有研究机构的报告显示，三星在今年上半年全球DRAM市场的份额为41.9%，较去年同期的43.5%减少1.6个百分点，创下了近9年的历史新低。

不过根据TrendForce集邦咨询的最新研究，第四季Mobile DRAM合约价季涨幅预估将扩大至13~18%。NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合约价涨幅约10~15%；由于Mobile DRAM一直以来获利表现均较其他DRAM产品低，因此成为本次的领涨项目。

至于为什么会导致存储芯片季涨幅扩大，TrendForce集邦咨询也给出了相应的原因。供应方面，三星扩大减产、美光祭出逾20%的涨幅等，持续奠定了同业涨价信心的基础。需求方面，2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受传统旺季带动，华为Mate 60系列等也刺激其他中国智能手机品牌扩大生产目标，短时间内涌入的需求也成为推动存储芯片第四季的合约价涨势的原因之一。

展望2024年第一季，预估整体存储芯片的涨势还将延续。TrendForce集邦咨询还表示，由于传统淡季及春节工作日较少，存储芯片市场追价氛围或有一些降温，但目前预估明年第一季Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）合约价仍会续涨。至于涨幅多少，则视后续原厂是否维持保守的投产策略，以及终端是否有实质买气支撑而定。

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