国内厂商被英飞凌起诉专利侵权！

导语

英飞凌就其GaN相关的美国专利对英诺赛科提起诉讼，目前正在寻求永久禁令！

3月14日英飞凌官网发布消息称英飞凌科技股份有限公司（Infineon Technologies AG）将通过其子公司英飞凌科技奥地利股份有限公司（Infineon Technologies Austria AG）对英诺赛科（珠海）科技有限公司（Innoscience (Zhuhai) Technology Company, Ltd.）和英诺赛科美国公司（Innoscience America, Inc.）及其附属子公司提起诉讼。该诉讼目前已向加利福尼亚州北区地方法院提起。

英诺赛科是一家国内氮化镓（GaN）IDM企业，全球首家实现8英寸硅基氮化镓量产。根据Trendforce去年数据，其在GaN功率器件市场营收排名第三。2023年2月，公司宣布年出货量达5亿颗，市占率达30%。另外据路透社报道，英诺赛科计划今年在香港进行IPO，预计融资3亿美元。

英飞凌方面称，其为了防止自己拥有的与GaN技术相关的美国专利受到侵犯，目前正在寻求永久禁令。涉及起诉的专利权利要求涵盖了GaN功率半导体的核心方面，其中包括可实现英飞凌专有的GaN器件可靠性和性能的创新。

英飞凌声称因诺科技侵犯了上述提及的英飞凌专利，其行为包括在美国制造、使用、销售、提供销售和/或进口各种产品，包括用于多种应用的氮化镓晶体管，涵盖汽车、数据中心、太阳能、电机驱动、消费电子以及用于汽车、工业和商业应用的相关产品。

英飞凌功率与传感器系统部总裁 Adam White对此表示，为了保证所有客户和终端用户的利益，英飞凌将大力保护其知识产权。数十年来，英飞凌一直投资于与 GaN 技术相关的研发、产品开发和制造专业知识。英飞凌将继续捍卫其知识产权并保护其投资。

值得一提的是，去年10月份，英飞凌宣布完成了对氮化镓系统公司（GaN Systems Inc.）的收购。目前英飞凌已经拥有350个GaN相关的同族专利。此次提起诉讼的专利或许正是来自于去年的收购。

而此次被起诉的英诺赛科也不是头一次遇到专利诉讼。早在去年，另一家公司Effcient Power Conversion（EPC）也曾向加州地区法院以及美国国际贸易委员会提起诉讼，称英诺赛科侵犯了其四项专利。这些专利涵盖了 EPC 专有的增强型氮化镓功率半导体器件的设计和大批量制造工艺的核心方面。 

不过，英诺赛科方面否认了这些说法，并发布了一则声明对方没有事实根据。此次陷入与英飞凌的专利官司，可能会对其上市进程有所影响。

其实在诸如科技、半导体等技术密集型行业中，专利纠纷并不少见。在技术日益复杂以及供应链全球化的趋势下，专利纠纷更加难以避免。高通和苹果、英伟达和三星都曾有过专利纠纷。此前高通指控苹果侵犯了其多项专利。双方最终达成和解，签署了为期6年的全球专利许可协议。而英伟达和三星专利诉讼案最终也以双方交叉授权专利和解告终。

而此次英飞凌起诉英诺赛科最终走向如何，还有待更多消息披露。

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