免费报名！引领下一代电子时代！GaN功率器件的集成探讨！3月29日，南科大、深圳大学、英美资源集团，邀您共赴

GaN器件新工艺的研发和产业化合作探索

主题沙龙活动

1.活动背景

电力电子、新能源电动汽车、5G/6G通讯、互联网和智能工业等领域的兴起，对功率器件的性能提出了越来越高的要求。目前，Si基器件已达高功率和高频应用的理论极限，无法满足电力电子系统的发展需求。

作为第三代半导体材料典型代表之一，氮化镓（GaN）材料具有大禁带宽度、高击穿电场、高迁移速度等优异性能，在高压大功率、高频领域的应用领域脱颖而出，被认为是制备高温、高频、大功率器件的首选材料之一，也是下一代信息存储及智能制造技术的核心，有望在有半导体照明、电力电子器件、激光器与探测器、太阳能电池、生物传感器等新兴领域，大展拳脚。

在商业化进程中，当前硅基半导体产业正面临投资回报率递减，而GaN器件凭借其优异性能，有望促进半导体行业新的增长。但是目前GaN材料与器件仍处于实验室研发阶段，GaN器件存在寄生效应和可靠性问题，限制了GaN器件性能优势的充分释放，GaN集成芯片已成为不可抗拒的发展趋势。同时GaN产品价格偏高也阻碍了其在消费性电子产品中大量使用。

基于GaN器件产业化存在的一些难题，在英美资源贸易（中国）有限公司的积极推动下，DT新材料联合南方科技大学举办“探索GaN器件新工艺研发和产业化合作”沙龙，深入探讨GaN器件的最新研发成果、工艺创新、产业化合作，以及面临的机遇和挑战。

2.活动信息

活动主题：GaN器件新工艺研发和产业化合作探索

活动时间：2024年3月29日 星期五 09:00-12:10

活动地点：广东·深圳 南方科技大学深港微电子学院 南山智园崇文园区3号楼5层（深圳市南山区留仙大道3370号）

活动规模：30人左右

3.日程安排

4.参与群体

（一）从事氮化镓材料、器件的基础研究及新工艺的开发的专家学者；

（二）专注于功率器件、射频器件和LED等领域的企业技术开发人员和高层管理者；

（三）原材料供应商、设备制造商、封装测试服务商等应用链合作伙伴；

（四）行业媒体及投融资机构等。

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扫码报名（名额有限30位）

活动咨询

李  蕊

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