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英飞凌多款功率半导体助力汽车和储能应用;安森美下一代电化学传感器解决方案面向工业、环境和医疗应用。更多详细介绍,速看内文~
英飞凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC顶部冷却封装,为现代汽车应用提供更高效率
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出采用 OptiMOS MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术,具有出色的热性能,可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板(PCB)。该封装能够实现简单、紧凑的双面PCB设计,并更大程度地降低未来汽车电源设计的冷却要求和PCB系统成本。因此,SSO10T TSC适用于电动助力转向(EPS)、电子机械制动(EMB)、配电、无刷直流驱动器(BLDC)、安全开关、反向电池和DCDC转换器等应用。PG-LHDSO-10-1-2-3组合SSO10T TSC的占板面积为5 x 7 mm2,并且基于已确立的PCB行业标准 SSO8(5 x 6 mm2的坚固外壳)。但由于采用了顶部冷却,SSO10 TSC的性能比标准SSO8高出 20%以上,最高可高出50%(具体取决于所使用的热界面(TIM)材料和TIM的厚度)。SSO10T TSC封装被JEDEC列为开放市场产品,能够与开放市场第二供应商的PCB产品进行广泛兼容。因此,该PCB系统封装可作为未来顶部冷却标准快速、轻松地推出。SSO10T半导体封装能够实现高度紧凑的PCB设计,减少系统占用空间。它还通过消除通孔降低了冷却设计的成本,进而减少了整体PCB系统成本和PCB设计工作量。同时,该封装还提供高功率密度和高效率,从而支持面向未来的可持续汽车的发展。供货情况首批采用SSO10T的40 V汽车MOSFET产品现已上市,分别是:IAUCN04S6N007T、IAUCN04S6N009T、IAUCN04S6N013T和IAUCN04S6N017T。安森美推出面向工业环境和医疗应用的下一代电化学传感器解决方案
智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),推出先进的微型模拟前端 (AFE)--CEM102,能以超低的电流实现超高精度的电化学传感器。CEM102具备小巧外形和业内超低功耗,工程师采用它能为工业、环境和医疗保健应用开发小巧的多用途传感器解决方案,如空气和气体检测、食品加工和农业监测,以及连续血糖监测等医疗可穿戴设备。从生命和环境科学到工业材料和食品加工,测量化学物质可以为提高安全性、效率和认知提供更有价值的参考信息。在实验室、采矿作业和材料制造中,电化学传感器如电位计或腐蚀传感器是提供生产系统反馈和管理危险物质的重要工具,不仅能确保流程的正常运行,还保障了员工和操作的安全。CEM102支持打造体积极小且超低功耗的传感器解决方案,是依赖电池供电的电化学传感器应用的理想之选。便携式气体检测等工业安全设备,可在工人身处偏远环境或需要移动时提醒他们注意潜在危险 。CEM102 被设计为与 RSL15 Bluetooth 5.2微控制器配合使用,RSL15提供行业功耗最低的蓝牙低功耗技术。作为一个完整的传感器解决方案,它使生物传感器和环境传感器能精确测量化学电流,同时以超低系统功耗和宽电源电压范围运行。这两个器件的无缝集成、紧凑的尺寸和业界领先的能效,在缩小设备体积和确保其持久运行方面发挥着至关重要的作用,而这正是电池供电解决方案的关键因素。该传感器组合产品是安森美模拟和混合信号产品组合的一部分,旨在简化开发流程,促进下一代电流型传感器技术的集成和创新。它为传感器设计人员创建高性能、高能效和互联的应用提供了极大的灵活性。此外,与其他产品相比,该传感器解决方案具有更高的精度、降噪和低功耗。它还简化了物料清单(BoM),易于校准,并降低传感器制造复杂性。该传感器系统具有宽电源电压范围(1.3 V至 3.6 V) ,可使用 1.5 V 氧化银电池或 3 V 纽扣电池工作。其运行功耗在禁用模式下仅为 50 nA,在电化学传感器偏置模式下为 2 uA,在 18 位 ADC 连续转换的测量模式下为 3.5 uA。这相当于仅使用 3 mAh 电池就能工作 14 天,使用大容量电池则能工作数年,其表现在市场处于领先地位。CEM102具备以下特性:· 完整的双通道电化学传感器测量解决方案(系统级)· 支持 1到 4 个电极· 极低的系统电流消耗· 支持两种电池选择:1.3 - 1.65V 或2.375 - 3.6V· 高分辨率 ADC、多个DAC用于连续偏置设置和工厂微调系统· 传感器异常情况检测和主机处理器唤醒· 小尺寸——1.884 x 1.848 mm封装英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的 80 V MOSFET OptiMOS 7
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS 7 80 V的首款汽车应用产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高,和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm2 SMD封装。这款OptiMOS 7 80 V产品非常适合即将推出的 48 V板网汽车应用。它专为满足高要求汽车应用所需的高性能、高质量和稳健性而打造,包括电动汽车的汽车直流-直流转换器、48 V电机控制(例如电动助力转向系统(EPS))、48 V电池开关以及电动汽车等。TDSON汽车OptiMOS 7与上一代产品相比,英飞凌IAUCN08S7N013的RDS(on)降低了50%以上,最高不超过1.3 mΩ,达到目前业内的领先水平。该汽车应用产品以5 x 6 mm2 封装实现了更小的传导损耗、超强的开关性能和更高的功率密度等优点。此外,IAUCN08S7N013 汽车应用产品还具有封装电阻和电感低以及抗雪崩电流能力强的特点。该半导体器件在电动汽车应用方面已取得 AEC-Q101标准以上的认证。供货情况IAUCN08S7N013 现已量产并上市。英飞凌为麦田能源提供功率半导体,助力提升储能应用效率
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)为快速成长的绿色能源行业领导者、逆变器及储能系统制造商——麦田能源提供功率半导体器件,共同推动绿色能源发展。英飞凌将为麦田能源提供 CoolSiCTM MOSFET 1200 V功率半导体器件, 配合EiceDRIVER栅极驱动器用于工业储能应用。同时,麦田能源的组串式光伏逆变器将使用英飞凌的 IGBT7 H7 1200 V功率半导体器件。全球光储系统(PV-ES)市场近年来高速增长。光储市场竞争加速,提高功率密度成为制胜关键;储能应用如何提升效率,提高功率密度备受关注。英飞凌CoolSiCTM MOSFET 1200 V以及IGBT7 H7 1200 V系列功率半导体器件采用了最新的半导体技术以及贴合行业应用的设计理念。麦田能源H3PRO 30kW储能解决方案麦田能源 R Series 100kW组串式逆变器英飞凌科技高级副总裁,工业与基础设施业务大中华区负责人于代辉先生表示:“作为功率半导体领域的行业领导者,我们很荣幸能与麦田能源紧密合作。英飞凌将继续助力光储应用实现更高的功率密度以及更可靠的系统,从而推动低碳化进程。”麦田能源董事长朱京成表示:“得益于英飞凌先进器件的支持,麦田能源的产品在可靠性与效率等方面获得了显著提升,这一直是麦田能源成长的重要推动力。英飞凌的技术支持和产品质量不仅增强了我们的竞争力,还拓展了我们在市场上的影响力。我们对未来充满信心,期待进一步加强与英飞凌的合作,共同推动行业发展,为客户创造更大的价值。。”英飞凌CoolSiCTM MOSFET 1200 V凭借其高功率密度的优越性能,可将损耗降低50%, 在不增加电池尺寸的情况下,额外提供约 2% 的能量,这对高性能、轻量且紧凑的储能方案尤为有益。麦田能源的H3PRO 15kW~30kW储能机型全系列使用了英飞凌 CoolSiCTM MOSFET 1200 V。得益于英飞凌产品优异的性能,H3PRO机型能取得最高98.1%的效率及优异的电磁兼容性能;麦田能源H3PRO机型也凭借着其优异的性能和可靠性,在全球市场的销量快速上升。英飞凌的TRENCHSTOP IGBT7 H7 650V/1200V产品系列,具有更低损耗,帮助提高逆变器整体效率和功率密度的优势,尤其在大功率变流器项目上,电流处理能力在100A以上的大电流封装分立器件可以降低IGBT并联数量,替代IGBT模块方案,进一步提高系统可靠性并降低成本;另外,H7系列产品的高品质性能,以及更强的抗宇宙射线能力等特性已经成为行业标杆。目前, 麦田能源在工业和商用领域的主力机型R Series 75~110kW,正是使用 IGBT7 H7系列分立器件,重新定义了100kW机型的整体设计方案,整机最高效率98.6%;得益于分立封装IGBT7 H7系列的高品质性能,避免了并管过程中均流等技术问题,从而大大提高了运行可靠性。每个功率器件都需要一个驱动——合适的驱动让设计事半功倍。英飞凌的产品可提供500多种 EiceDRIVER 栅极驱动器,典型输出电流从0.1 A到18 A。并具有全面的保护功能,包括快速短路保护(DESAT),有源米勒钳位,直通短路保护,故障报告,关断,过流保护, 适用于包括CoolSiC和IGBT在内的所有功率器件。往
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