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PCB网城讯
陶瓷基板是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝(AlO)或氮化铝(AlN)陶瓷基片表面(单面或双面)上的特殊工艺板。所制成的超薄复合基板具有优良电绝缘性能,高导热特性,优异的软钎焊性和高的附着强度,并可像PCB一样能刻蚀出各种图形,具有很大的载流能力。因此,陶瓷基板已成为大功率电力电子电路结构技术和互连技术的基础材料。在电子芯片封装过程中,陶瓷基板主要起到机械支撑保护和电气互连(绝缘)的作用。随着芯片技术不断向小型化、高密度、多功能、高可靠性的方向发展,电子芯片的功率密度越来越大,散热问题也越来越严重。影响器件散热的因素很多,其中陶瓷基板材料的选择也是一个关键环节。陶瓷衬板市场快速增长AMB是增速最快的细分工艺据QYResearch数据,2022年全球陶瓷基板市场规模为11.3亿美元,预计到2029年将增长到41.5亿美元,预计2023年至2029年复合增长率(CAGR)为18.23%。其中2022年全球AMB陶瓷基板市场销售额为4.33亿美元,预计到2029年将增长到28.72亿美元,2023年至2029年复合增长率(CAGR)为26.0%,有望占据市场主体地位。当前,AMB基板供应商主要为欧美日韩企业,国内AMB陶瓷衬板主要依赖于进口,国内产能还相对较小。面对当前人工智能、IGBT功率器件、汽车领域、聚光光伏(CPV)、通信、航天航空及其他领域市场迫切增长的需求,无论是国家政府还是国产企业,均希望能实现重大技术突破,以改变陶瓷基板长期依赖进口的局面。800V高压平台催生碳化硅需求扩大AMB陶瓷基板受益新能源汽车自面世以来,“充电慢”、“续航短”一直是用户的痛点,各大厂商纷纷研发更长续航里程的车型。为进一步提高充电功率、缩短充电时间,越来越多的主流车企推出高压快充车型,将电压平台从400V提升到800V、1000V甚至更高的水平。电压的提升,意味着电动汽车所有的高压元器件及管理系统都要提高标准,首当其冲的就是主驱逆变器。在800V平台下,SiC的性能优势会得到充分的发挥,总体效率提高6%-8%。根据Wolfspeed的预测,2026年碳化硅器件市场规模有望达到89亿美元,碳化硅有望在新能源汽车、工业和能源、射频市场逐步完成对硅基器件的替代。自2021年特斯拉宣布旗舰车型Model3搭载碳化硅功率器件后,国内比亚迪、蔚来、小鹏等多款车型纷纷跟进,高压碳化硅车型正密集上量,价格也在下探至20万元,800V+SiC正在加速渗透。随着800V高压平台成为解决快充痛点的主流方案,碳化硅模块上车的进程大幅超过市场预期,AMB陶瓷基板优异导热和抗弯性能已经成为SiC芯片最佳封装材料。随着SiC MOS开始供应主驱逆变器,由于逆变器所需SiC MOS面积变大,对于陶瓷衬板的产能消耗量快速增长。以特斯拉为例,Model3开始全系标配碳化硅MOSFET模块替代IGBT作为逆变器功率器件,碳化硅模块都必须采用AMB-SiN陶瓷封装材料。未来,新能源汽车领域成为AMB陶瓷基板最大需求领域。智能驾驶提升激光雷达渗透率DPC陶瓷基板需求大增激光雷达作为自动驾驶感知层面的重要一环,相较摄像头、毫米波雷达等其他传感器具有“精准、快速、高效作业”的优势,已成为自动驾驶的主传感器之一,是实现L3级别以上自动驾驶最重要的传感设备。目前新势力车型已经基本做到激光雷达在高配车型上的标配,传统车企新车型激光雷达搭载量也在逐步提升。根据行业公开的车辆销售数据统计,2023年国内乘用车激光雷达装车量超过74万台,相较2022年激光雷达当年装车量提升370%。其中2023年12月装车量达到了9.66万台,在整体乘用车中渗透率达到4.09%,相较2022年12月渗透率提升了2.41%。激光光源是车载激光雷达核心器件之一,需要综合考虑应用环境、技术方案、性能需求及成本需求,目前常用光源包括边发射激光器(EEL)、垂直腔面发射激光器(VCSEL)、光纤激光器等。随着VCSEL技术的进步和亮度的提升,VCSEL替代EEL趋势日益显著。VCSEL运行时会产生较大热量,热量则需要通过基板及时散发出去。其次,VCSEL芯片功率密度高,需要考虑芯片和基板热膨胀失配导致的应力问题。因此,实现高效散热、热电分离及热膨胀系数匹配成为VCSEL元件封装基板选择的重要考量。DPC陶瓷基板具备了高导热、高绝缘、高线路精准度、高表面平整度及热膨胀系数与芯片匹配、可垂直互连等诸多特性,极大满足了VCSEL的封装要求,在VCSEL的应用方面具有广泛的前景。头部企业包括:
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