展商推介 |【东芯】芯之所向，东芯全系列存储方案即将亮相工博会国芯展！

展位号：5.2H-A059

东芯半导体股份有限公司

企业介绍

东芯半导体股份有限公司成立于2014年，总部位于上海，在深圳、南京、香港、韩国均设有分公司或子公司，是目前中国大陆少数能够同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司，产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗、汽车电子等领域。公司致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及服务。

亮点展品

01

SLC NAND Flash：高可靠、大容量

存储容量覆盖512Mb至32Gb，可灵活选择 SPI或PP1类型接口，搭配3.3V/1.8V两种电压，可满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。

SPI NAND Flash：单芯片设计的串行通信方案，引脚少、封装尺寸小，且在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器，并带有内部ECC模块。现拥有38nm及2xnm的成熟工艺制程，并已经推进至1xnm。

 PPI NAND Flash：兼容传统的并行接口标准，高可靠性。支持容量从1Gb到16Gb、 3.3V/1.8V两种电压和多种封装方式。

在可靠性方面公司产品表现稳定，单颗芯片可擦写次数超过10万次，并能在-40°C~125°C的极端环境下保持数据有效性长达10年，产品可靠性标准已从工业级跨越至车规级。广泛应用于通讯设备、企业网关、汽车电子以及机器人等终端产品。

02

NOR Flash ：大容量、低功耗

可提供通用SPI接口、不同规格的NOR Flash，大容量、低功耗、ETOX工艺，容量从64Mb到2Gb，1.8V/3.3V 两种电压，支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四种指令模式、DTR传输模式和多种封装方式。可广泛应用于各种应用场景。

03

             DRAM：高带宽、低延时

DDR3(L)：具有高带宽、低延时等特点，可提供1.5V/1.35V两种电压模式，具有标准SSTL接口、8n-bit prefetch DDR架构和8个内部bank的DDR3 SDRAM，是主流的内存产品，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛。

LPDDR：具有低功耗和高传输速度等特点，LPDDR1的核心电压与IO电压均低至1.8V，LPDDR2的VDDCA/VDDQ低至1.2V，LPDDR4X的VDDQ更低至0.6V。最大时钟频率可达2133MHz，适用于智能终端、可穿戴设备等产品。

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