干货收藏 |一大波光芯片产品来了！

点击完成参观登记，免费参观，限时登记还可免费获得含【下一代数据中心光互连多样化产品的支撑性技术】、【硅光技术产业现状及未来应用展望】、【超100G光模块技术与标准化进展及应用探讨】在内的20份光电热门产业及应用报告！（报告将于8月2日统一发送至登记邮箱）

部分企业展品预览

（排名不分先后）

• 展位号：6D021

Tanner是Mentor（A Siemens Business）公司面向数模混合电路、功率器件、传感器、MEMS及硅光半导体（SiPhotonics）等各类简易或特殊芯片的全流程开发工具。Tanner产品自面世至今已有30年以上的历史，其成功用户遍布全球，Tanner的版图设计工具L-Edit在MEMS、传感器、硅光半导体领域更是垄断型的工具，如HP、楼氏、华为/海思、ZTE等行业巨头均采用Tanner L-Edit作为版图设计工具。各大晶圆代工厂如TSMC、UMC、GF、X-FAB、TowerJazz、Dongbu、CompoundTek、AMF等都建有Tanner各种制程（28nm~0.35um~1um）的PDK。

Lumerical是目前市场上专业的模拟光学仿真软件，提供了强大的设计环境，帮助光子学设计师开发下一代微纳尺度光子技术。Lumerical软件由四大部分组成，包括光子器件设计与仿真：FDTD，波导求解和传播模拟：MODE，有限元多物理场光电子设计模拟平台：DEVICE和光子芯片设计仿真：INTERCONNECT。可以应用于生物技术，数据通信，信息存储，太阳能，环境传感和消费电子等各个领域。

FloTHERM以CFD (Computational Fluid Dynamic，计算流体动力学) 原理为基础，对系统在层流、湍流或过渡态状态下的导热、对流及辐射情况进行求解，获得系统流动传热的全景。

FloEFD 是无缝集成于主流三维CAD 软件中的高度工程化的通用流体传热分析软件，它基于当今主流CFD 软件都广泛采用的有限体积法(FVM)开发，完全支持导入市场上的主流三维CAD模型以及多种格式的模型文件，主要用于结构件或机械流体系统的散热分析或研究材料的散热效果。

• 展位号：6A65-3

中科院微电子所硅光平台对外提供基于8英寸SOI的光子集成流片服务以及8英寸硅基SiN光子集成流片服务。基于SOI的工艺模块包括220 nm/150 nm/70 nm无源器件刻蚀工艺、高速调制器掺杂工艺、TiN加热电极工艺、锗材料外延工艺、硅和锗的欧姆接触及金属层工艺等。

平台每年可对外提供6-8次MPW流片服务。同时为了满足客户的特殊工艺要求，可提供工艺定制服务。基于硅基SiN的光子集成流片服务以定制化为主，平台已实现SiN器件库。

技术参数：

- 指标：8寸

- 最小线宽/间距：180nm

技术参数：

- 指标：8寸

- 最小线宽/间距：180nm

• 展位号: 5B61

DFB(Distributed-feedback laser), 即分布反馈式半导体激光器。DFB的优势是具有非常好的单色性，线宽可以做到1MHz以内，以及具有非常高的边模抑制比。目前三安集成的 10G DFB处于小批量供货阶段。

VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser), 即垂直腔面发射激光器，具有阈值电流小，发光效率高、波长可选择、耦合效率高、尺寸小等优点。目前，三安集成已实现 10G VCSEL量产，25G VCSEL已经在客户端验证通过，消费端 VCSEL产品目前在开发过程中。

PD(Photodiode), 即光电二极管。三安集成的PD产品，速率涵盖1.25G、10G和25G的, 波长涵盖850nm、1310nm及1550nm。三安集成可以提供PD、APD、MPD等产品，基本满足光通领域所有的PD需求类型。

广东安捷康光通科技有限公司

• 展位号：6B11

苏州苏纳光电有限公司

• 展位号：6B808

针对室外低温工况进行优化的PD探测芯片，国内主流甲烷探测传感客户的重要供应商。

• 展位号：6C26

10G 1577/1550nm EML

江苏科大亨芯半导体技术有限公司

• 展位号：6C72

HX3210（E）是一款应用于5G前传等领域的低功耗光收发芯片，可以支持8.5~28.1Gbps的传输速率，其内部集成了CDR，LDD以及LA。同时还集成了双向环回功能（Loopback），可以满足系统的环回检测。另外，还集成了调顶功能，包含物理层、链路层和部分业务层的功能，是目前市场上首颗集成三大运营商调顶标准的电芯片，高集成度使得无需其它外围器件即可实现调顶功能，模块厂商开发难度大幅降低，极大简化生产调试工作。通过配置寄存器，就可以分别支持MWDM、LWDM和DWDM的调顶标准。

厦门优迅高速芯片有限公司

• 展位号：6C33

UX2091是一种四通道高灵敏度限幅TIA, 带有为100G/200G可插拔光模块所设计的CDR。输入间隔在250 μ m中心上以兼容标准光学接口。UX2290是一款高度集成的DFB激光驱动器，包括带cdr的四通道DML激光驱动器，为满足QSFP28模块的性能和功率要求而设计。

UX3463是一款集成了双通道CDR、限幅放大器和EML激光驱动器的IC，匹配XFP/SFP+模块的低功耗要求。UX3461是一款集成了双通道CDR、限幅放大器和DML激光驱动器的IC，匹配XFP/SFP+模块的低功率要求。

UX3367结合了带CDR的10Gbps EML驱动和2.5Gbps突发模式限幅放大器，可用于XGPON OLT光模块。它具有输入均衡和输出预加重功能，并带有芯片内APC控制功能。UX2420S是一种用于XG-PON OLT接收的高灵敏度突发模式跨阻放大器，采用先进的亚微米CMOS工艺制作，集成了逐位突发模式AGC增益控制。

• 展位号：5A75

The AL1648D is a low-power, high-performance, quad-channel linear driver chip. It is designed for 400G/600G optical integrated transmitter small-form factor (SFF) modules for metro and long-haul applications.

The AL2648D is a 64Gbps linear quad TIA chip that integrates four lanes of TIAs for XI, XQ, YI, and YQ channels, as well as digital interface circuitry for DC controls on a single die for 400G/600G coherent applications.

AL2211D is a high sensitivity 28Gb/s trans-impedance amplifier (TIA). It has 6K of small-signal differential trans-impedance gain and consumes 120mW using a 3.3V power supply.

芯思杰技术（深圳）股份有限公司

• 展位号：6A53

研发和生产基于磷化铟 (InP)基底的半导体光电探测器芯片系列。

陕西源杰半导体科技股份有限公司

• 展位号：5B51

50G PAM4 CWDM4 DFB，作为国内主要数据中心200G的关键依托技术，源杰将提供持续的产品竞争力。

10G 1270nm DFB Laser，应用于XGSPON，源杰成熟发货产品，在头部模块厂家独家供应。

应用于5G前传，面对5G前传高速率、大容量、省光纤的应用场景，该系列芯片源杰2020年国内发货量位居榜首，大批量交付给多个业内领先的光模块和系统设备厂家。

• 展位号：5D71

高速光通信VCSEL光芯片，14G、25G NRZ、50G PAM4、100G PAM4

武汉敏芯半导体股份有限公司

• 展位号：5C51

D25XX-X0-020-X3系列单模边沿发射DFB激光器，可支持25G NRZ以及50G PAM4速率的信号传输。该系列采用AlGaInAs多量子阱结构设计，脊波导工艺，具有低阈值、高带宽、宽温工作等特点。芯片在25℃下，电光转化效率最小可达0.2mW/mA，Outer ER=4.26dB下，TDECQ约1.4dB，75℃条件Outer ER=4.5dB下，TDECQ约2.2dB。产品主要应用在5G中、回传和数据中心200G FR4等应用场景。

桂林光隆科技集团股份有限公司

• 展位号：6A15

芯隆科技产品应用于光通信 ( PON网络 / 数据中心 ) 和传感器 ( 气体检测 / 温度监控 ) 两大类别领域，同时具备接收端芯片和封装的客制化设计和量产能力。主要产品类为光通讯探测器芯片和TO器件：MPD / 2.5G PIN PD / 2.5G APD；10G PIN PD / 10G APD / 25G PIN PD；气体传感器接收端芯片：1653.7nm光敏面1000μm PIN PD。

雷光科技专注于制造高端半导体激光芯片，产品主要用于数据通信和电信市场。3英寸晶圆：3英寸晶圆上每颗芯片都有独一的代号，测试后能做局部分析mapping。DFB激光器芯片：DFB激光器，即分布式反馈激光器，内置布拉格光栅，属于边发射的半导体激光器。在光通信领域中主要以磷化铟(InP)半导体材料为介质。产品特性：窄线宽、宽温域、波长稳、高速率。产品应用：5G通信、激光传感、光纤到户、数据中心。

• 展位号：5C75

50G PAM-4 砷化镓基850nm波长多模VCSEL芯片，尺寸为250um*250um*150um。

单通道25Gbps速率，砷化镓基850nm波长多模VCSEL阵列芯片，尺寸为1000um*250um*150um

• 展位号：6C908

该产品光敏面直径为200μm、500μm、1000μm正面入光，便于光纤对准，上下电极结构，产品包括单点、线列、面阵等，可定制；具有高响应度，高倍增，低暗电流特点。高性能大光敏面的APD Chip封装成单管的TO-CAN可以提高光接收机的灵敏度，广泛应用于光时域反射计 、激光测距、距离测量、空间光传输、低光级探测、激光告警和激光雷达。

InGaAs Φ80μm Analog PD Chip主要应用于数字以及模拟光通信、模拟有线电视，InGaAs 1mm PD Chip主要应用于光功率计、气体分析和湿度计，均具有暗电流低、低电容、高响应度等特点。

无锡神州高芯科技有限公司

• 展位号：6C75

VCSEL是一种半导体激光器，激光垂直于顶面射出，具有光电转换效率高、成本低、耗电少、发散角小等优点；广泛应用于光通信、光互连以及3D识别感测等领域。目前高芯已有NRZ 25G/100G等产品，主要应用于短距离通讯以及数据传输，NRZ产品已通过主流客户的验证。高芯PAM4 50G/200G已开始为客户送样。

深圳市汇光芯创光电技术有限公司

• 展位号：6C906

SG-D2811是低功耗，高性能EML驱动器，性能高达56Gbps的应用。驱动程序可以支持差速输入信号，范围可达600mVpp。该设备具有控制输出从1.0Vpp到1.8Vpp的功能。该装置抖动性能低，在1.8Vpp工作时，典型的功耗为350mW。

• 展位号：5C53

在手机的深感摄像头量产，拥有高稳定性，高量产性和优秀的发光效率，广泛用于TOF深度识别，红外照明。

高发光效率、发光点亮度提升150%，伪随机不对称点阵。广泛应用与工业、消费电子，高精度测量，面部识别与深度感知。

仟目激光的850nm Vcsel 芯片具有低电容值，支持高带宽，同时在芯片设计上支持非气密性封装。产品有1.25G, 2.5G, 10G, 25G, 4X10G, 4X25G等不同速率。

• 展位号：5A23

产品特征：850nm多模激光输出；高可靠性，低功耗；低寄生电容；高低温稳定性；高波长稳定性；56Gpbs调制速率。应用领域：高速光通信；大数据中心；芯片互联。

产品特征：940nm多模激光输出；输出功率定制化（100mW-2000mW）；芯片尺寸订制化；芯片波段订制化（850nm-980nm）；高波长稳定性。

应用领域：人脸识别；夜视安防；接近式开关。

产品特征：850nm多模激光输出；低阈值电流和低工作电流；高可靠性，低功耗；低寄生电容；高低温稳定性；高波长稳定性；25Gpbs调制速率。应用领域：短距离100Gbit/s以太网；AOC有源光缆；HDMI，USB3.0；高速光通信；大数据中心；芯片互联。

产品特征：850nm多模激光输出；低阈值电流和低工作电流；高可靠性，低功耗；低寄生电容；高低温稳定性；高波长稳定性；10Gpbs/40Gpbs调制速率。

应用领域：短距离40Gbit/s以太网；AOC有源光缆；HDMI，USB3.0；高速光通信；大数据中心；芯片互联。

• 展位号：6E30

慧芯激光的多模高功率近红外VCSEL（垂直腔面发射激光器）阵列芯片，采用国际先进的芯片制作工艺和独特的芯片设计方案，以严苛的技术性能指标为产品标准，制造满足多个领域需求的3D传感光电芯片。

本系列光电芯片可提供输出功率范围为：0.85、1、1.5、2、2.5、3W的6个种类。其可靠的制作工艺，优异的光电转换效率、发散角等性能，使产品具备工作温度宽泛、性能稳定、低功耗、高可靠性等特性，适用于市场主流智能手机和智慧终端等设备。

慧芯激光的25Gps 4×25 InGaAs PIN阵列芯片，是在InP衬底上制作的4通道InP/InGaAs PIN阵列芯片，具备高响应度，低暗电流和高带宽特性，每通道可支持25Gbps数据传输。芯片采用正入射台面型结构，光敏面直径23um，支持1260nm至1565nm波长的探测。同时其工作温度范围宽，温度稳定性较好，可靠性已通过Telcordia-GR-468-CORE标准。

慧芯激光的25G 850nm Vcsel，是基于GaAs衬底制作垂直腔面发射激光器芯片，其具备低阈值电流，小发散角，斜效率高等特性，可支持25Gbps速率的数据传输，广泛地应用于数据中心内部互联、有源光缆、超高清HDMI线缆等。

慧芯激光的50Gps InGaAs PIN阵列芯片，是在InP衬底上制作的InP/InGaAs PIN阵列芯片，具备高响应度，低暗电流等特性，每个通道可支持50Gbps数据传输（可提供单芯片和4通道阵列芯片）。芯片采用正入射台面型结构，光敏面直径为10um，支持1260nm至1560nm工作波长。.

慧芯激光的25 G 1310 nm DFB芯片，是基于InP衬底制作的分布式反馈激光器芯片，可支持25Gbps的数据传输。该芯片外延采用多量子阱(MQW)有源层，单模输出通过周期性光栅来实现，模式限制采用脊波导的结构。同时芯片采用复杂的端面解理、排bar镀膜技术以实现激光的边发射输出。

• 展位号：6A25

气体探测DFB激光器是波长可以精确控制的半导体激光器。不同波长激光器可以用于探测不同种气体。提供14pin蝶形封装和TO39封装。现有波长如下：

1. HF（氟化氢）: 1272.970nm

2. NH3（氨气）: 1512.236nm

3. C2H2（乙炔）: 1521.060nm

4. CO（一氧化碳）: 1565.981nm

5. CO2（二氧化碳）: 1579.654nm

10G DFB是一种包含有源区和反射区的两段式ＤＦＢ激光器。直调制带宽超过10GHz，边模抑制比>55dB。

产品参数：运行温度：-40 ~ 85 ℃；3dB 直调带宽：15 GHz；10G PON 波长：1270 nm；CWDM 波长：1271 nm

多通道干涉激光器是基于InP材料体系的大范围波长可调谐半导体激光器。多通道干涉激光器可以通过电调或者热调实现超过40纳米的波长准连续调谐。该设计具有独立的IP，拥有美国和中国专利。

基于我们独创的设计，我们的DFB激光器具有55dB的边模抑制比，且在-40℃到85℃不跳模。波长准确度做到+/-1纳米在常温和85℃下，该DFB激光器在60 mA注入电流情况下分别实现了大约23GHz和18GHz的3-dB调制带宽。

• 展位号：5B13

凌越光电同时掌握砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）半导体光芯片平台，大功率激光芯片产品包括905 nm以及符合人眼安全的1550 nm的脉冲（Pulsed）或直流（CW）激光芯片，可定制单管和巴条，非常适合各类激光测距、激光雷达及三维成像应用。

凌越光电25 Gbps DFB芯片是一款1.3微米波长的分布式反馈激光器（DFB）芯片。适用于25 Gbps及28 Gbps等速率的光纤通信应用。

凌越光电50G PAM4 LWDM4 EML芯片组是高性能电吸收调制激光器（EML）。适用于单通道或四通道25G NRZ或50G PAM4光纤通信应用。产品特点包括，高发光效率多量子井（MQW）分布式反馈（DFB）结构激光器，高带宽、高消光比（ER）、低调制电压（Vpp）调制器，高可靠性等等。

• 展位号：6C25

1、描述：对外延片进行镀膜、光刻、刻蚀、腐蚀、清洗、以及光栅再生长等工序形成芯片；进行解离、镀膜、测试等形成合格的芯片

2、特征：

响应波长1250nm~1650nm

直调速率2.5Gbps/10 Gbps/25Gbps 1310nm DFB LR/25Gbps 1270~1370nm DFB CWDM/1550nm高功率DFB激光器

符合RoHS

• 展位号：6D33

• 展位号：6C31

CWDM芯片组件：数据中心的发展趋势是高集成度、高速率、低功耗，全球大型数据中心设备之间的数据通信接口在从100G往400G发展。该芯片组就是针对这一市场设计开发，有非常广泛的应用。产品主要特点：尺寸小、成本低、损耗小、可靠性高、高端口密度。

• 展位号：5D52

单通道25Gbps收发一体芯片；24.3~28.1Gbps工作速率

0~15dB可编程TX EQ增益；RX输入灵敏度：10mVpp;　RX LOS迟滞可编程。

10G PON ONU 对称/非对称光收发一体芯片，平均功率和消光比控制，带有兼容SFF-8472数字诊断监视，LDD最高输出调制/偏置电流为90mA/110mA，LA输入灵敏度为5mVppd，1~12.5Gbps速率，具有连续/突发两种模式。

• 展位号：6C63

产品介绍：

POET Optical Interposer 技术平台采用新颖的波导技术，实现电学及光学器件的高度集成。同时通过应用先进的晶圆级半导体制造技术和新颖的封装方法，POET的Optical Interposer消除了传统解决方案中的昂贵组件、复杂组装、有源对准和测试。与传统器件相比，不仅大幅度降低成本，也为从数据中心到消费产品的各种光子学应用提供了一个灵活且可扩展的平台。

产品介绍：

POET Technologies 采用自主研发的直接调制激光器无源耦合倒装焊技术，将DML集成在Optical Interposer上，实现应用于100G、200G、400G和800G光引擎。独有的激光器倒装焊技术能够实现晶圆级生产光学引擎芯片，同时支持自对准光纤耦合，从而降低芯片尺寸和成本，比如CWDM4光引擎，外形尺寸仅为 9 × 6 mm。

产品介绍：

POET CW激光器集成平台是基于POET Optical Interposer 开发的支持CW激光器，多种调制器，探测器及无源器件的混合集成。CW激光器集成平台可以为共封装光学（CPO）应用提供集成光源模块（POET LightBar），也可以实现无热复用器和解复用器，硅光调制器，薄膜铌酸锂调制，高速光电探测器的混合集成，为800Gbps应用提供低成本高性能集成芯片解决方案。

产品介绍：

基于POET Optical Interposer技术平台，独特的波导技术，无热解复用及复用器，无源直接调制激光器倒装焊技术，POET陆续推出100G-800G 光引擎解决方案。

这些光引擎产品将由POET和三安集成成立的合资公司SPX生产。

• 展位号：6A63

Optoelectronic Transceiver Chipset with 4x Vcsel Driver and PIN TIA

Target application: All fiber or Hybrid AOC for HDMI 2.1 + DisplayPort 1.4

Linear 28G Baud PAM4 Optoelectronic DML Driver

Linear 28G Baud PAM4 Trans-impedance Amplifier(TIA)

Target application: PAM4 optical transceivers include 50G,100G, 200G

4x56-Gbps PAM4 CDR with integrated Vcsel Driver

4x56-Gbps PAM4 CDR with integrated TIA

Target application: PAM4 Active Optical Cables(AOC)/ Optical transceivers include 200G, 400G

• 展位号：5C26

高灵敏度、宽输入动态范围、低功耗的 10Gbps 跨阻放大器，内部集成高压阻容用于10G APD电源去偶及滤波以节省外部无缘滤波器件，TO封装测试灵敏度为-33dBm。应用于XGPON ONU 接收系统，配合TSAO406提供一套性能优异的接收芯片组合。

为XGPON / XGSPON OLT应用设计的收发一体的OLT combo芯片。TX IBIAS可达 160mA, 单边最大输出摆幅3Vpp。提供配置性强的眼图塑形功能,集成APC、TX_DISABLE、极性转换和输出静默等功能。同时集成ADC功能、内部TX_FAULT，适配各种激光器方案。RX包含2.5G/10G限幅放大器，实现快速突发模式信号检测、输出幅度可调、支持灵活的脉冲展宽时间设置，支持包含datarate 和 reset信息的三电平信号输入，以及内部合成三电平信号，返回上游TIA。

XGPON ONU 非对称收发一体芯片。TX 10Gbps连续模式限幅放大器，集成APD RSSI/OMA LOS探测、10mVpp灵敏度、输出幅度可调、极性转换、静默等功能。RX 2.5Gbps突发模式，最大Ibias和Imod电流均为100mA。提供满足SFF-8472标准的数字诊断功能。具有APC、AER、流氓ONU检测、密码保护、TX_DISABLE、极性转换和输出静默、内部TX_FAULT等功能。集成OTP和EEPROM可预储存寄存器配置。用于10G EPON/XGPON ONT领域。

专为XGPON OLT应用设计的收发一体的芯片。集成10G EML driver，多速率CDR和突发模式LA，使XGPON OLT系统布局更简洁，功耗更低。TX IBIAS可达 160mA,单边最大输出摆幅可达3Vpp。提供配置性强的眼图塑形功能，其中包含PE，CPA，phase-adjust。集成APC、TX_DISABLE、极性转换和输出静默等功能。同时集成ADC,内部TX_FAULT。RX2.5G突发模式LA，具有预加重、快速信号检测、输出幅度可调等功能。同时支持自动&外部re-set。

• 展位号：5D31-2

拥有完整的半导体光电探测器/激光器芯片生产线，产品包含2.5G/10G DFB、2.5G/10G/25G APD、25G/4*25G PD等多类光收发芯片，及TO、OSA封装生产线，是国内光通信领域的主流供应商。

• 展位号：6B28

该产品尺寸紧凑、应用在QSFP28&CFP4，具有高可靠性、低成本和低波长相关性的特性。应用于WDM系统、数据中心和40/100G TOSA/ROSA中。

• 展位号：5E638

常州光芯的微透镜阵列采用独有的玻璃基离子交换工艺，在图样区域的晶圆下表面形成纵向的变折射率半球区；通过离子交换工艺参数与过程的控制使变折射率半球区具有凸透镜（或凹透镜）的功能，进而实现微透镜阵列芯片。微透镜功能：聚焦、准直、成像。与传统透镜相比，常州光芯微透镜系列具有一致性好，尺寸小、设备尺寸适应性高、稳 定性好、玻璃材质允许通过能量高、温度性能好、凹面微透镜生产效率高、以及成本等优势。

• 展位号：5C13

采用可见光透明的光学玻璃为衬底，实现集成化的光波导及光波导器件，是制作可见光合束器的优良选择。该平台产品具有损耗低 低等特点。该产品支持客户定制开发。产品应用：激光显示、智能投影、虚拟现实VR和增强现实AR智能领域、生物传感等领域。

欧亿光电 (OE photonics) 的MEMS 可调光衰减器(VOA)专注于光网络中光功率控制应用。VOA 系列衰减器利用静电驱动反射镜旋转的微机电系统（MEMS）原理，实现C + L波段（C band &L band）光在输入端与输出端之间高重复性耦合动态连续的可调光衰减器，可实现常开或常关两种类型。

特征：稳定性好、重复性高及寿命长；插入损耗低；尺寸小；可定制化（波长与衰减范围）

• 展位号：6B21

The XY53A1/4 is a high-sensitivity, low-noise, and high-bandwidth Single/Quad channel Linear TIAs. It was designed for PAM4 symbol rates from 26Gabud to 53Gbaud. This IC provides adjustable differential transimpedance from 250Ω to 5kΩ.

XY5424 is one high performance Quad Channel CDR with 28Gbps TIA.It offers high input jitter tolerance,low output jitter and adjustable output amplitude with low power consumption of about 0.85W.XY5424-BT2 is 250um version,XY5424-BT7 is 750um version.

• 展位号：5D33

ms52000是高灵敏度突发跨阻放大器，满足XGS PON 2.5G和10G网络所需要的汇聚时间和突发动态范围的需求，支持快速自动增益控制和快速信号探测功能。

• 展位号：5A29

Sitrus 25Gb/s NRZ CDR Transceiver Integrated with DML Driver

Application:25GbE SFP28 optical module form factors

5G wireless front-haul, datacenter, and cloud computing.

• 展位号：5C21

AZURi 25G 1310nm DML激光器是一种基于脊波导结构的分布反馈(DFB)单纵模边发射半导体激光器，其采用独特的外延结构设计，有源区采用AlGaInAs材料的应变多量子阱结构。芯片的前、后出光面分别镀有高反膜和增透膜。其具有低阈值电流、大输出功率以及低功耗的特点，满足25 oC ~ 85oC环境下的非制冷应用需求。

AZURi 25G 1358nm DML激光器是一种基于脊波导结构的分布反馈(DFB)单纵模边发射半导体激光器，其外延设计采用独特的啁啾压制技术，有源区采用AlGaInAs材料的应变多量子阱结构。芯片的前、后出光面分别镀有高反膜和增透膜。其具有低阈值电流、大输出功率、低啁啾以及低功耗的特点，满足制冷应用条件下的20km传输应用需求。

AZURi 10G 1270nm DML激光器是一种基于脊波导结构的分布反馈(DFB)单纵模边发射半导体激光器，其有源区采用AlGaInAs材料的应变多量子阱结构。芯片的前、后出光面分别镀有高反膜和增透膜。其具有低阈值电流、大输出功率、小发散角以及低功耗的特点，满足25 oC ~ 85oC环境下的非制冷应用需求。

• 展位号：6D62

支持速率：25.2~28.1Gbps

-12dBm典型灵敏度：BER 1E-12，25.78Gbps， ER=4dB

高灵敏度限幅放大器及LOS判断

单通道典型功耗223mW

无参考时钟以及带宽可调CDR，并支持bypass模式

输出支持预加重以及编程处理

支持时钟监控，输出8/16分频时钟

数字诊断监控RSSI电流

支持-40℃至95℃芯片工作温度

LOL和LOS判断

典型功耗810mW

无参考时钟以及带宽可调CDR，并支持bypass模式

支持宽范围VCSEL的眼图整形

可编程偏置电流（4~15mA）和调制电流（0.1~12.8mA）

支持时钟监控，输出8/16分频时钟

支持-40℃至95℃芯片工作温度

• 展位号：5B21

技术指标：外观为银灰色，脆性长条类梯形块状金属，纯度：≥99.999%，电阻率≥ 50 Ω·cm （20 ± 0.5 ℃）；广泛用于半导体和探测器、红外光学工业、生产锗单晶、锗合金及其他锗深加工产品等。

锗单晶材料性能不同、用途各异，有用于辐射探测器的高阻锗单晶、用于红外光学器件具有均匀电阻率的锗单晶，以及用于太阳能电池领域中作为砷化镓外延的低阻锗单晶等。

磷化铟具有诸多优点：较高的电光转换率、饱和电子漂移速度和电子迁移率，导热性好、抗辐射能力强，发光波长适宜光纤低损通信等。这些特征决定了其在射频、光电子、移动通信、数据通信等多项领域的广泛应用。

磷化铟衬底主要应用的下游器件包括光模块器件、传感器件、射频器件，对应下游终端领域包括5G通信、数据中心、人工智能、无人驾驶、可穿戴设备等。

• 展位号：6C23

科谱技术的1310nm波长的直调2.5Gbps的DFB激光器主要应用在GPON的光通信模块，操作温度范围为-40-85°C的工业规格，产品拥有优良的操作特性与可靠度。1310nm波长的直调10Gbps的DFB激光器主要应用在10Gbps的光通信模块，操作温度范围为-40-85°C的工业规格，产品拥有优良的操作特性与可靠度。270nm波长的直调10Gbps的DFB激光器主要应用在XGPON的光通信模块，操作温度范围为-40～+85°C的工业规格，产品拥有优良的操作特性与可靠度。

科谱技术的25Gbps 直调DFB激光器，主要应用在数据中心及5G基站的高速光通信模块，3dB带宽大于18GHz，温度操作范围有0-75°C和-20～+85°C两款，波长涵盖了CWDM、MWDM或LAN-WDM的应用。

• 展位号：6E52

AWG器件MUX、DEMUX芯片

• 展位号：6C73

公司薄膜产线可设计和制造微波、毫米波薄膜无源器件，包括二维滤波器、三维堆叠滤波器、衰减器、功分器、朗格电桥、介质桥、高隔离传输线、共面波导以及石英玻璃电路等。频率覆盖DC~40GHz以上，可满足95%以上的微波毫米波电路应用需求。

针对光电应用，我司研发了光电薄膜电路的专用生产工艺及专门定制生产光电产品专用的生产设备，可完成金锡合金预制、侧面金属化，深腔刻蚀以及高精度集成电阻等光电产品。金锡厚度最后可达10um以上，电阻精度最高可达±5%以内。

公司开发了专用的薄膜电路制造工艺，可完美的避开酸碱性溶液对材料的影响，生产的铁氧体环形器、隔离器等特殊电路附着力优异，缺陷少。满足国军标548B等高标准的可靠要求。

• 展位号：6B903

多级微型制冷器，采用了高性能热电半导体材料和先进生产工艺开发的产品，应用于光电通信、激光技术、微电子等领域，应用场合有5G光模块、光通信激光发射器、激光雷达探测、红外CCD等。

多级微型制冷器，采用了高性能热电半导体材料和先进生产工艺开发的产品，应用于光电通信、激光技术、微电子等领域，应用场合有5G光模块、光通信激光发射器、激光雷达探测、红外CCD等。

多级微型制冷器，采用了高性能热电半导体材料和先进生产工艺开发的产品，应用于光电通信、激光技术、微电子等领域，应用场合有5G光模块、光通信激光发射器、激光雷达探测、红外CCD等。

• 展位号：6C815-1

纳米晶热电材料是组成热电致冷器件或芯片的核心材料，采用独家纳米工艺烧结技术制备而成，与同行业的区熔材料相比，热电优值提高20%-30%,机械性能提升了4-6倍以上，性能的一致性和均匀性误差在3%以内。且赛格瑞是国内n型纳米晶材料唯一生产商。

• 展位号：5C818

XB1201是国内第一颗量产发货的XGSPON OLT TIA，最早出货的量产芯片已经在客户系统上稳定运行两年。XB1201独创性地使用了逐比特快速响应AGC技术，在无需复位信号的情况下仍然可以满足系统响应时间的要求，从而降低了系统成本。XB1201支持10G和2.5G模式，10G模式下的突发灵敏度-31.5dBm，过载电流不低于2mApp，典型功耗仅为100mW。

XB1110 10G增强型TIA可用于提高10G光猫性能并降低成本。XB1110是一个匠心之作： 使用了芯波微独创的非线性频率均衡技术，可配合不同类型的低速APD使用； 集成了限幅放大器，更容易适配不同的收发芯片； 还应用了芯波微独有的色散补偿技术，可大大提高远距离传输的灵敏度 XB1110配合3.5G APD使用可测得-33dbm，完全满足10G光猫的商业应用需要。该芯片已经完成制作和测试，可以提供芯片样片和TO/ROSA/BOSA样品。

XB1221 25G突发模式跨阻放大器用于非对称50G PON OLT端。可支持25G和12.44G/10G模式。25G模式下输入等效噪声1.33uArms。快速响应AGC电路可在复位信号的帮助下实现<25ns响应时间。芯片功耗约100mW，面积1.1mm x 1.1mm，可提供样片。

• 展位号：5C61

新微半导体已完成基于平面结光电探测器的全工艺开发，包括步进式曝光、干/湿法刻蚀、电子束蒸发、减薄、划裂等工艺技术，3吋PD晶圆级测试良率达95%以上，产品可应用于光纤通信、近红外成像、激光雷达等市场。

• 展位号：5E605

深圳通感微电子有限公司，国家高新企业，专为红外激光器，传感器，光通信，智能家居行业提供芯片器件的封装材料和解决方案，拥有多项专利。

封装用管壳, 管座, 管帽, 热沉, 垫片, 透镜等。

• 展位号：6C62

10G-28G多速率覆盖

10G-28G多速率覆盖

2.5G-10G多速率覆盖

155M-800G 全速率覆盖

10G-800G全速率覆盖

• 展位号：5A28

该400G硅光芯片基于量产级硅光工艺平台制造，能够提供35GHz以上调制带宽，4.5 dB以上消光比，兼容市面主流硅光驱动芯片，基于56Gbaud PAM-4调制发射端TDECQ < 2.0 dB, 能够为400G DR4及800G DR8发射端应用提供优异的性能保障。

其低损耗Edge-Coupler支持光源空间光与光纤光栅直接耦合两种方式，支持非气密封装，芯片尺寸及管脚定义易于实现QSFP-DD/OSFP及COBO主流模块封装。

产品已经得到国内光通信行业多家主流模块厂商验证，已实现量产。

芯速联以自有PLC芯片设计技术为核心研发的AWG芯片，具有更低插损、更高带宽、更低串扰、更强温度适应性等特点，产品覆盖40G至800G速率CWDM/Lan-WDM Mux/ Demux全系列芯片/组件。

芯速联采用目前全球最大的8寸晶圆，芯片减薄至0.75mm，并采用日韩最先进的切割工艺极大保证了产品良率。

基于自研的芯片设计技术，公司可灵活为客户提供定制化产品。目前公司的AWG芯片已广泛应用于企业网络及数据中心。

CIOE信息通信展是亚太地区极具影响力的信息通信技术专业展览会，集中展示芯片、材料、器件、模块、设备、方案等全产业链板块的新产品、新技术、新趋势及新应用，促进设备商、工程商、运营商、互联网等企业与上下游供应商进行商贸沟通，达成商业合作，获悉前沿应用、洞察新兴趋势。点击参观登记

第24届中国国际光电博览会(CIOE)将于2022年9月7-9日在深圳国际会展中心（宝安新馆）隆重举办！立即参观登记CIOE中国光博会，享多重好礼相送，不仅能定期收到关于光电及应用领域新资讯、新活动，还能享受提前在展会前一天（9月6日）提前办理观众入场证件，免去现场排队的烦恼。