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【产业信息速递】HBM 8，最新展望

来源：世展网分类：半导体行业资讯 2025-06-19 14:43 阅读：*****

（信息来源：theelec）韩国科学技术研究院的一位教授表示，到 2029 年左右，当 HBM5 实现商业化时，冷却技术将成为高带宽存储器 (HBM) 市场竞争的主要因素。韩国科学技术研究院电气工程系教授 Joungho Kim 在 KAIST Teralab（Kim 领导的该大学下属研究小组）主办的活动中表示，目前，封装是决定半导体市场霸权的主要因素，但随着 HBM5 的出现，这一局面将转变为冷却技术。该实验室分享了所谓的 2025 年至2040 年 HBM4 至 HBM8 的技术路线图。其中一些技术包括 HBM 架构、冷却方法、硅通孔 (TSV) 密度、中介层等。Kim 表示，预计基础芯片将通过异构和先进的封装技术移至 HBM 的顶部。由于从 HBM4 开始，基础芯片将承担 GPU 的部分工作负载，因此基础芯片的温度升高使得冷却变得非常重要。HBM5 结构采用浸入式冷却，基片和封装将浸入冷却液中。Kim 指出，目前使用的液体冷却方法存在局限性。在 HBM4 中，液体冷却剂被注入封装顶部的散热器中。除了 TSV 之外，还将添加新的通孔，例如热通孔 (TTV)、栅极 TSV 和电源TPV。该教授表示，HBM7 需要嵌入式冷却系统将冷却液注入DRAM 芯片之间，为此将添加流体 TSV。HBM7 还将与各种架构相结合，例如高带宽闪存 (HBF)，其中 NAND 以 3D 方式堆叠，就像 DRAM 以 HBM 方式堆叠一样，而HBM8 将把 HBM 直接安装在 GPU 顶部。该教授还表示，除了冷却之外，键合也是决定HBM性能的另一个主要因素。他表示，从HBM6开始，将引入玻璃和硅的混合中介层。