创芯生态 碳索未来 | 第四届第三代半导体产业发展高峰论坛成功举办！

5月17日，第四届第三代半导体产业发展高峰论坛在深圳国际会展中心（宝安新馆）14号馆论坛区圆满落幕！本场论坛由中国通信工业协会和深圳市中新材会展有限公司联合主办，季丰电子赞助，广东省新能源汽车产业协会秘书长周发涛先生进行主持。

随着新能源汽车蓬勃发展、5G基础设施建设持续推进、光伏行业技术迭代不断加速，第三代半导体展现出广阔的市场前景，成为全球半导体技术研究和产业竞争的重要赛道，我国各级政府也从产业政策、发展规划等方面大力支持第三代半导体产业的发展。在市场和政策的双重带动下，我国第三代半导体产业已步入黄金发展阶段。基于此，第四届第三代半导体产业发展高峰论坛分为碳化硅和氮化镓两大板块，助力厂商和专业观众上探市场趋势，下谋技术革新。

周发涛先生

碳化硅专场特邀山西烁科、森国科、基本半导体、AIXTRON的企业代表围绕当前碳化硅材料，共同探讨碳化硅的技术创新模型、典型案例、实践经验以及挑战与机遇。

马康夫先生

山西烁科晶体有限公司总经理助理马康夫先生带来《SiC单晶生长技术浅析及应用展望》主题演讲。马康夫先生先大概介绍SiC材料特性及应用，分析了SiC单晶缺陷类型及生长技术，最后在针对当前碳化硅单晶生长技术在国际最高水平和国内普遍水平提出未来发展建议。

杨承晋先生

深圳市森国科科技股份有限公司董事长&CEO杨承晋先生在《碳化硅功率器件的应用机会及未来》介绍了森国科当前业务布局和核心技术团队。杨承晋先生重点阐述了功率半导体器件具备的高耐压、高可靠、高频率、低功耗等多个特性，最后也向在场各位展示了森国科未来的产品及市场规划。

刘诚先生

深圳基本半导体有限公司技术营销副总监刘诚先生围绕碳化硅功率器件应用及发展简介、碳化硅在新能源汽车系统应用商业逻辑分析、碳化硅功率器件在光储充系统应用商业逻辑分析、基本半导体公司及生态产业布局简介这四个方面进行《碳化硅功率器件应用的商业逻辑思考》主题演讲。

方子文先生

AIXTRON中国副总经理方子文先生带来《化合物半导体外延大规模量产解决方案》主题演讲。他提出碳中和、碳达峰正在推动对更高效的电气系统以减少能源消耗。基于GaN和SiC宽禁带半导体的数据中心、可再生能源发电和汽车电气化的电源和功率逆变器是第一个关键应用。所有的预测都在不断刷新对宽禁带半导体材料的需求，以应对电力市场。为了保证目前应用的增速，宽禁带半导体材料的生产须在性能、生产效率和单位晶圆成本方面作综合提升。方子文先生详细介绍AIXTRON爱思强如何通过其专用的高产量外延解决方案解决这些问题。

氮化镓专场，SEMI-e组委会主办方特邀誉鸿锦材料科技、镓未来、能华微电子、氮矽科技、腾盛精密、英嘉通、Innoscience、聚能创芯、中科重仪重点瞄准氮化镓当前热点应用、技术研发、重点产品和机遇挑战等热点话题分享各自心得。

蔡汉鑫先生

江西誉鸿锦材料科技有限公司总经理蔡汉鑫先生带来《氮化钾器件的市场前景及应用》主题演讲。报告中先是介绍了第三代半导体演化和发展、 GaN的分类和应用领域，由此引入分析当前竞争格局行业痛点，最后在总结介绍誉鸿锦材料和当前完整产业链布局。

张大江先生

珠海镓未来科技有限公司研发总监张大江先生分享了《氮化钾器件的市场前景及应用》。张大江先生先采用图表形式对功率半导体材料特性进行对比，紧接着深度剖析氮化镓相比于硅的效率优势、D-mode氮化镓的优缺点、镓未来大功率氮化镓器件特点等，最后分享相关案例实践。

章涛先生

江苏能华微电子科技发展有限公司产品应用副总章涛先生带来了《CoreGaN：立足消费 走向工业》主题演讲。能华半导体经过13年的产业化发展，是业界少有同时掌握增强型氮化镓技术、级联耗尽型技术和耗尽型直驱技术三种技术平台的公司；这三种技术平台有各自优势，可针对不同的市场；能华增强型和级联耗尽型已经在PD快充和适配器市场上实现了大量出货，在TV应用场景上实现了突破；能华独特的可并联直驱方案以及相应的工业级封装TO247-4是在未来工业级市场要重点布局的；章涛先生最后指出功率GaN产业化已经处于稳步爬升期，未来的蓬勃发展是可以期待的。

朱仁强先生

成都氮矽科技有限公司GaN HEMT器件设计总监朱仁强先生带来了《功率氮化镓应用现状与前景》主题分享。他分享到氮化镓材料具有禁带宽度大、击穿电压高、低损耗、高效率和高频特性优的优点，表示当前功率氮化镓的市场前景非常广阔。紧接着他又介绍到氮矽科技为快充市场、家电市场、新能源汽车、锂电池等领域提供核心器件和驱动，并在此基础上具体展示了氮矽科技现有产品。

周云先生

深圳市腾盛精密装备股份有限公司半导体装备事业部总监周云先生带在《半导体精密点胶及划片制程工艺分享》主要介绍了半导体精密点胶工艺及解决方案和半导体精密切割工艺及解决方案两大部分，重点展示了腾升精密的半导体制程工艺。

蒋胜先生

现有的GaN功率产品无法与传统硅器件完全兼容、应用困难，是造成其市场占有率低的重要原因。深圳英嘉通半导体有限公司CTO蒋胜先生在《降低氮化镓应用难度，让高效变得简单》分享了英嘉通半导体在这一方面所做的创新经验。

杜发达先生

Innoscience 英诺赛科产品应用主任工程师杜发达先生带来了《氮化镓市场进展与趋势》主题演讲。杜发达先生提到，在数字化与碳中和时代背景下，消费电子、数据中心、光伏、储能、新能源车等行业快速发展，产品技术持续升级，推动着能源电子产业的发展和技术进步。而氮化镓因其卓越的材料特性，使得具备开关速度快，损耗小，能量密度高的特点，是支撑能源电子发展的理想器件，助力能源电子高频，低碳，集成化的发展趋势。

陈杨先生

青岛聚能创芯微电子有限公司销售经理陈杨先生在《面向功率应用的GaN材料和器件技术》带来GaN功率器件性能优势、目标应用和市场前景的分析报告，重点介绍聚能创芯GaN材料与器件产业链布局。

姚威振先生

北京中科重仪半导体科技有限公司总经理姚威振先生带来了《高性能Si基GaN功率器件外延生长的解决（核心设备/材料）方案》主题演讲。他探讨当前氮化镓材料优势、器件产业链和市场需求，针对当前氮化镓生长面临的问题和氮化镓行业痛点提出相对应解决方案。在演讲当中，他由中科重仪发展历程引入介绍了国产化MOCVD装备、GaN功率器件产品与定制化服务。

至此，第四届第三代半导体产业发展高峰论坛圆满结束。未来，SEMIE-e深圳国际半导体展将持续以全球贸易便利化发展下深度研究半导体发展方向为目标，协同更多行业合作伙伴，共同推动半导体行业发展。

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