9月10-12日，北京烁科中科信电子装备有限公司将在SEMI-e深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展与大家面对面交流，展位号：13C18

北京烁科中科信电子装备有限公司

北京烁科中科信电子装备有限公司成立于2019年6月，以中国电科48所和北京中科信离子注入机业务战略整合而成，是国内集成电路高端工艺装备的领先企业,总部位于北京，在长沙设有分公司。公司是国家级高新技术企业、第五批专精特新“小巨人”企业，“大束流离子注入机项目”获得“北京市科技进步一等奖”,大束流离子注入机入选 《中央企业科技创新成果推荐目录(2022年版)》。2024年初，国产离子注入机代表中国电科成功进入“2023年度央企十大国 之重器”榜单，综合排名第三位，公司也成功进入“2023年度央企十大国 之重器”榜单，综合排名第三位，公司也成功入选国资委首批启航企业。“高能离子注入机研发与产业化”项目荣获国资委第四届中央企业熠星创新创意大赛一等奖。“碳化硅离子注入机”项目荣获“军民两用技术创新应用大赛”银奖。

展品推介

中束流离子注入机CI P900、SiC中束流离子注入机CI P900HT

产品简介：CI P900工艺能力覆盖至28nm，可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤，如阈值电压调整注入，沟道阻隔注入，晕注入、袋注入等工艺，整机完全适应大生产制造，具备自优化及自适应控制功能。CI P900HT:用于SiC电力电子器件制造，Si基器件制造。通过向晶圆选择性注入接杂元素如Al、B、N、P等，形成p-n结或调控器件性能参数。最高加热温度≥500℃。

低能大束流离子注入机CI C60、

高温低能大束流离子注入机CI C60 Hot

产品简介：CI C60大束流注入机具有较大的能量范围，同时在低能段表现出色，在能量、颗粒、金属污染方面满足先进工艺需求，拥有高效的晶圆传输与扫描系统，保证了高的WPH。CI C60 Hot高温离子注入可以实现较高的活化水平和较高扩散水平，可以实现低漏电流、低管道缺陷等电学性能的提升，对于超浅节的半导体结构的制备具有不可取代的作用。wafer可加热到200℃，实现控制温度精度在5%以内，温度200℃状态离子注入,是14 nm及更先进制程必须装备。最高加热温度≥200℃。

新一代低能大束流离子注入机CI C60XP

产品简介：低能大束流迭代CI C60XP，主要是基于本公司大束流离子注入CI C60的平台，在硬件上优化光路上的核心模块，在软件上开发更友好更安全的操作系统，从而实现低能量、大剂量的条件下，更均匀、更安全、更高效的离子注入掺杂工艺需求。主要特点：新软件架构具有更便捷的操作和更好功能扩展；更好的垂直角度控制；更好的均匀性控制与调节 ；更大的束流及更长的PM周期；更好的束流利用率和更高的WPH；可选配高温/低温配置，工艺全覆盖。

中能大束流离子注入机CI C200、SiC 中能大束流离子注入机CI C200HT

产品简介：CI C200中能大束流离子注入机兼具较高的能量和较大的流强，基于成熟的大束流离子注入机平台，兼容B/P/As/In/H/He/O等多种离子，可满足功率器件、SOI材料制备等不同工艺需求。主要特点：兼具高能量和大流强；单晶圆注入模式；适用离子种类较多；完备的污染防护。CI C200HT通过向晶圆选择性注入接杂元素如Al、B、N、P等，形成p-n结或调控器件性能参数。最高加热温度≥500℃。

高能离子注入机CI E8000、SiC高能离子注入机CI E8000HT

产品简介：CI E8000主要用于逻辑和存储器件、成像器件、功率器件的注入工艺。设备不仅具有稳定性咈，注入参数控制精度高、注入均匀性与重复性好的优点，而且工艺覆盖范围十分广泛。主要特点：高性能，长寿命离子源；束流能量高，单电荷离子＞1MeV;单圆片注入；能量范围大，能量纯度高；束流传输效率高，注入流强大。CI E8000HT通过向晶圆选择性注入接杂元素如Al、B、N、P等，形成p-n结或调控器件性能参数。最高加热温度≥500℃。

9月10-12日，北京烁科中科信电子装备有限公司将在SEMI-e深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展与大家面对面交流，展位号：13C18