参展企业：四川远为芯途半导体科技有限公司

四川远为芯途半导体科技有限公司

展位号：T-043-1

由中国半导体行业协会和中国电子信息产业发展研究院联合主办，北京赛迪出版传媒有限公司承办的第二十二届中国国际半导体博览会（IC China 2025），已定于2025年11月23—25日在北京国家会议中心盛大启幕。本届博览会秉持“集合全行业资源 成就大产业对接”理念，致力于搭建覆盖半导体产业全链条的一站式对接平台。

四川远为芯途半导体科技有限公司（以下简称“远为芯途”），依托江苏南通远景智能装备有限公司的雄厚产业基础，于2024年作为重点引进项目落户四川省成都市经开区。公司致力于建设西南地区规模最大、技术最先进的湿法制程装备及工艺一体化研发制造基地。

槽槽式清洗设备：可高效去除2、4、5、6、8、12 英寸晶圆表面的有机物、氧化层、颗粒及金属，具备 1 篮 / 批或 2 篮 / 批（每篮 25 片）的处理能力，槽体集成循环、过滤、加热、超声、兆声、抛动及干燥功能，搭配兆声波清洗与 IPA 干燥技术，能轻松达成优良验收指标，为半导体制造过程中的晶圆洁净度提供可靠保障。

扎根基层

贴近群众

水平电镀设备：兼容 8 寸与 12 寸晶圆，配置灵活，可搭载 3 个 Load Port、4 个清洗腔体、4 种预湿腔体（具备真空控制功能）及 20 个电镀腔体，支持 Cu、Sn/Ag、Ni 等多种材质的电镀作业。设备性能优异，片内均一性＜5%、片间均一性＜3%，在高速镀铜过程中兼具均匀化控制。水平腔体设计有效避免交叉污染，单腔维护模式提升作业效率，Rubber Seal 确保良好密封性能，工序控制灵活，可精准适配半导体电镀的各类需求。

化镀设备：适用于半导体制造环节，兼容 8 寸、12 寸晶圆，具备出色性能。在沉积速率上，Ni＞180nm/min 、Pd＞30nm/min 、Au＞4nm/min ，工艺参数覆盖 Ni（3 - 10um）、Pd（0.1 - 1um ）、Au（0.02 - 0.15um ），膜厚均匀性良好，Ni、Pd 均＜10% ，Au＜15% ，破片率＜10PPM 。可处理翘曲片≤5mm 、厚度 200 - 1500um 的晶圆，设备性能可靠，UP time≥95% 、MTTR≤4hours 、MTBF≥250hours ，8 寸 + 12 寸月产量达 7000 片，为化镀工艺高效稳定开展提供有力支撑。

垂直电镀设备：最大加工基板尺寸12英寸，支持12英寸圆片、4英寸方片；设备具备满足不同底材的TSV、TGV、RDL、PILLAR等工艺；根据产能配置多组电镀槽:满足电镀Au、Cu、Ni、SnAg、Sn等金属；工艺能力：均匀性小于5%，破片率小于10ppm；槽体规格：槽体尺寸满足12英寸片的电镀，向下兼容。设备具备满足硅片及陶瓷基片的封装基板表面微铜柱电镀、微框电镀、（厚度≥500μm）、微框电镀（厚度≥500μm）。设备具备良好电镀能力,无金属层氧化。设备的工艺可以满足陶瓷基片的封装基板表面微铜柱电镀、微框电镀、微孔电镀。设备具有EAP系统及视频监控功能，设备采用PLC+PC进行程序编制,操作界面为中英文画面,提供后续免费升级。

企业联系

联系人：丁先生

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