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随着全球汽车产业向电气化转型,混合动力汽车(HEV)对功率半导体器件的效率、体积和成本提出了更高要求。当前基于硅基IGBT的驱动电机控制器已难以满足行业需求,亟需新一代高性能解决方案。本报告围绕混合动力汽车应用场景,提出基于氮化镓(GaN)PCB嵌埋封装的功率模块创新设计,为行业提供突破性技术路径。
氮化镓(GaN)器件正在向高压大功率方向演进;
功率半导体裸片的PCB嵌埋封装有望成为混合动力汽车主驱应用的主流封装方案;
高压大功率氮化镓裸片的PCB嵌埋封装设计属于行业创新性技术。
本报告首次公开高压大功率氮化镓PCB嵌埋封装技术的完整设计与应用案例,为行业提供前瞻性参考。
针对混合动力汽车驱动系统的高效化、小型化和低成本需求,本研究利用宽禁带半导体氮化镓的高频、高效特性,结合PCB嵌埋封装技术,开发了高压大功率氮化镓裸片的集成化模块方案。通过优化设计与混动专用变速器(DHT)的匹配性,显著提升了系统性能与经济性。
高压大功率氮化镓器件的行业突破:推动GaN技术在混动主驱电机控制器中的高压大功率应用。
PCB嵌埋封装的集成化设计:实现高密度、低热阻封装,成为混动汽车功率模块的主流技术方向。
全工况性能优化:针对混动系统动态负载特性,提升模块的可靠性与效率。
测试数据表明,该方案使主驱电机控制器整机成本降低15%以上,WLTC工况平均效率提升2%,体积缩减30%,具备显著的商业化潜力。本技术为新一代混合动力系统提供了核心器件解决方案,助力车企应对严苛的油耗与排放法规。
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作者|TMC组委会
审核|邓亚兵
编辑|原敬鑫
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