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展商动态 | 拓荆科技股份有限公司——邀您共赴IICIE国际集成电路创新博览会

来源:世展网 分类:半导体行业资讯 2026-08-27 20:16 阅读:2073
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2026年中国(深圳)国际集成电路创新博览会暨半导体展IICIEE

2026-09-09-09-11

展会结束

拓荆科技股份有限公司成立于2010年4月,是国家高新技术企业,主要从事半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。公司多次获评中国半导体行业协会授予的“中国半导体设备五强企业”称号。公司在北京、上海、海宁、沈阳和美国及日本成立子公司。

公司主要产品包括PECVD设备、ALD设备、SACVD设备、HDPCVD设备、Flowable CVD设备和先进键合设备以及相关量测设备等系列,拥有自主知识产权,技术指标达到国际同类产品的先进水平。产品主要应用于集成电路晶圆制造、先进存储和先进封装、HBM、MEMS、Micro-LED和Micro-OLED显示等高端技术领域。

展品推介

VS-300T Astra-s SiN PEALD 设备

VS-300T Astra-s SiN是一款等离子体增强原子层沉积(PEALD)设备,聚焦高性能、多规格的氮化硅(SiN)介质薄膜精密沉积,应用于先进逻辑的金属栅极间隔物侧墙、单扩散区隔离,以及存储位线侧墙、DRAM位线填充等工艺,在片内均匀性、缺陷控制、台阶覆盖率及沉积速率等方面达到国际先进水平。产品采用紧凑型架构,可搭载4个反应腔,具有优异的坪效比和CoO,满足逻辑、存储等客户先进技术节点要求。

产品特点:

  • 高质量SiN薄膜沉积能力

  • 优异的片内均匀性

  • 最多可搭载4个反应腔,满足高产能需求

  • 优异的坪效比和 CoO

  • 通过S2安全认证和F47标准检验

PF-300T Flora FCVD设备

PF-300T Flora是一款流动性化学气相沉积(FCVD)设备,面向先进逻辑与存储的高深宽比沟槽等微小间隙,通过UV或蒸汽固化及氧化等处理工艺,可实现深宽比8∶1以上结构的无孔洞、无缝隙填充。独立RPS设计提升工艺稳定性与颗粒表现,双腔独立化学源控制提升薄膜一致性,产品目前已产业化应用,是先进芯片制程的重要设备之一。

产品特点

  • 高质量SiO2填充、高深宽比结构的薄膜沉积及固化能力

  • 功率可控的独立RPS设计,提升工艺稳定性与颗粒表现

  • 双腔独立化学源控制,提升双腔工艺的一致性

  • 可按客户应用选择配置蒸汽或UV固化

  • 通过S2安全认证和F47标准检验

Pleione 300 HS 芯片对晶圆混合键合设备

芯片对晶圆(DtW)键合技术代表了先进封装的最前沿,尤其适用于高性能高集成应用。与传统键合方式相比,该技术无需键合介质或粘合剂,可在室温下实现直接键合,并可选择已知良品芯片(KGD)参与键合,从而大幅提升良率。Pleione 300 HS是一款芯片对晶圆混合键合设备,应用于化合物半导体晶圆重构领域。产品在实现高产能的同时,稳定保持微米级对位精度和高洁净度,为客户提供兼顾良率、产能与CoO的量产解决方案。

产品特点:

  • 多种芯片尺寸和厚度兼容

  • 自动更换拾取与键合模组

  • 支持与预处理机型定制化联机

  • 支持在线键合空洞检测

  • 高产能与低 CoO

NF-300M Supra-H ACHM VI 碳膜间隙填充设备

先进制程对确硬掩膜的刻蚀选择比和图形保形性要求持续提高,薄膜缺陷会导致图形传递误差。NF-300M Supra-H ACHM VI是一款碳基间隙填充设备,可稳定制备碳衬垫层(Carbon Liner)、碳栓塞层(Carbon Plug)、碳间隙填充层(Carbon Gap-fill)等关键碳基薄膜,具有高致密度、高刻蚀选择比与低释气特性等优势,能够扩大后续工艺的窗口。产品可搭载4个六站反应腔,结构紧凑,清洁效率高,满足高产能需求,具有行业领先的坪效比以及CoO,满足逻辑与存储先进节点的技术要求。

产品特点:

  • 高致密度、高刻蚀选择比碳基硬薄膜

  • 可搭载4个六站式反应腔,满足高产能需求

  • 行业领先的坪效比和CoO

  • 具备wafer在多站沉积和wafer旋转功能,实现高均匀性和片间一致性

2026年9月9-11日,拓荆科技股份有限公司将在IICIE国际集成电路创新博览会与大家面对面交流,展位号:15B66

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  时间:2026年9月9-11日地点:深圳国际会展中心

IICIE国际集成电路创新博览会(简称“IC创新博览会”)以 “跨界融合全链协同,共筑特色芯生态”为主题,全面呈现芯片及芯片设计、晶圆制造、封装测试、核心设备、关键材料及核心零部件的全链条生态布局。今年展会将与CIOE中国光博会、elexcon深圳国际电子展同期同地举行,深度联动半导体制造、集成电路、光电、嵌入式电子等核心领域,三展总展示面积达32万平方米,参展企业超5000家。点击此处一键报名即可一证通行三展!

芯片及芯片设计/功率半导中兴微电子、华润微电子、比亚迪半导体、爱特微、北京君正、澜起科技、紫光国微、广立微、复旦微电子、灿芯半导体、谱瑞集成、极海半导体、成都华微电子、国芯科技、算能科技、京微齐力、鸿芯微纳、珠海芯动力、进迭时空、隼瞻科技、六岳微电子、二进制半导体、乘翎微电子、达摩院玄铁等;

晶圆制造及封装测试技术与服务:华虹集团、积塔半导体、晶合集成、新芯股份、、增芯科技、通富微电、华天科技、芯植微、佰维存储、时代民芯、锐立平芯、新核芯、安吉海万欣等;

半导体设备盛美上海、拓荆科技、华海清科、微崇半导体、华煜半导体、精测电子、北京中电科、中科飞测、隆友德、华卓精科、迈为技术、东方晶源、维嘉科技、三丰精密、容道社、冠礼科技、光粒半导体、理纯洁净、海目芯微、津上智造、钧华半导体、致和半导体、维嘉科技、微法尔、四元数、海浥半导体、艾恩、博涛智能、芯慧联芯、佳智彩、运泰利、伊创科技、幂帆科技、昌鼎电子、稳顶聚芯、华封科技、中科四点零、上可优等;

半导体材料:沪硅产业、天科合达、电科材料、安集科技、中船特气、上海新阳、清溢微、西陇科学、成都炭材、木林升、奔朗新材、亦盛科技、中宝新材、贵研半导体、华熔科技、道川半导体材料、云升新材、昆吾、洽美斯、宇腾、晨科技、玻芯成、欧莱新材等;

半导体核心零部件及智能制造方案:中科仪、新松半导体、万瑞冷电、上银科技、新莱集团、灿锐科技、司倍克、基恩士、冠业传动、四达全、星奇半导体、有氟密、百士吉、高川自动化、德利克、清能德创、兆默半导体等;

*以上仅为部分参展企业,排名不分先后

半导体全链聚合,IICIE国际集成电路创新博览会9月深圳举办

2026-08-09

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